SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Технология микрочипов

Описание продукта

SST38VF166 состоит из трех банков памяти, по 2 флэш EEPROM 512K x16 битного сектора, плюс 4K x16 битная E2PROM, изготовленная на основе патента SST,высокопроизводительная технология SuperFlash. SST38VF166 стирает и программирует с помощью одного источника питания.Устройство соответствует (предложенным) стандартам JEDEC для запоминания слов.

СТРАНИЦЫ:

• Обычные операции чтения и записи 2,7-3,6 В
• Отдельные банки памяти для кода или данных
Умение одновременно читать и писать
• Высокая надежность
Выдержка:
Банк E2 - 500 000 циклов (типичный)
Флэш-банк - 100 000 циклов (типичный)
Хранение данных более 100 лет
• Низкое энергопотребление
Активный ток: 15 мА (типичный)
Активный ток, одновременное чтение при записи: 40 мА (типичный)
️ Течение в режиме ожидания: 3 мА (типичное)
Автомобильный низкомощный режим тока: 3 μA (типичный)
• Операция быстрой записи
Флэш-банк-удаление + программа: 8 сек (типично)
Flash Block-Erase + Программа: 500 мс (типично)
Флэш-сектора-потеря + программа: 30 мс (типично)
¢ E2 bank Word-Write: 9 мс (типично)
• Установлено время стирания, программирования и записи
¢ Не меняйте скорость после езды на велосипеде
• Время чтения
70 нс
• Запертый адрес и данные
• Выявление конца текста
️ Переключатель
Данные# Опрос
• Банк E2:
Word-write (автоматическое стирание перед программой)
Стерть сектор (32 слова) + Программа слова (такая же, как Флэш-банк)
• Флэш-банк: два небольших размера стиральных элементов
1 кВт на сектор или 32 кВт на блок
Удалить любой элемент перед Word-программой
• CMOS I/O совместимость
• Стандартный комплект команд JEDEC
• Доступные пакеты
48-контактный TSOP (12мм х 20мм)
• Постоянная защита данных с использованием аппаратного и программного обеспечения (SDP)
• Одноразовый программируемый (OTP) сектор E2