Все продукты
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
---|---|---|---|
Технологии | SDRAM - DDR2 | Размер запоминающего устройства | 1Gbit |
Организация памяти | 64M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | 400 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
Время выборки | 400 ps | Напряжение - питание | 1.7V ~ 1.9V |
Операционная температура | 0°C | 85°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 84-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 84-TWBGA (8x12.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160B-25DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-3DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16160B-25DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
СТРАНИЦЫ
• Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V• Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
• высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 933 МГц
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Программируемая задержка CAS
• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
• Программируемая длина взрыва: 4 и 8
• Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
• переключатель BL на лету
• Автоматическое обновление (ASR)
• Самообновляемая температура (SRT)
• Интервал обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
• Частичный массив самообновление
• Асинхронный кнопку RESET
• Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
• OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
• Динамическая ODT (окончание операции на месте)
• Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Напишите выравнивание
• До 200 МГц в режиме выключения DLL
• Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | DRAM |
RoHS | Подробная информация |
Бренд | ИССИ |
Производитель части# | Описание | Производитель | Сравните |
МТ4С4С4С4С5 Память |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, соответствующая требованиям ROHS, FBGA-84 | Micron Technology Inc. | IS43DR16640C-25DBL против MT47H64M16NF-25E:M |
МТ4С4С4С4С5 Память |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, соответствующая требованиям ROHS, FBGA-84 | Micron Technology Inc. | IS43DR16640C-25DBL против MT47H64M16NF-25EIT:M |
IS43DR16640C-25DBLA2 Память |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, без свинца, TWBGA-84 | Интегрированные Силиконовые Решения | IS43DR16640C-25DBL против IS43DR16640C-25DBLA2 |
IS43DR16640C-25DBLA1 Память |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, без свинца, TWBGA-84 | Интегрированные Силиконовые Решения | IS43DR16640C-25DBL против IS43DR16640C-25DBLA1 |
Описания
SDRAM - DDR2 Память IC 1Gb (64M x 16) Параллельная 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8В, RoHs 400MHz, 64Mx16
Порекомендованные продукты