Все продукты
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
---|---|---|---|
Технологии | SDRAM-DDR | Размер запоминающего устройства | 256Mbit |
Организация памяти | 16M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | 166 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
Время выборки | 700 ps | Напряжение - питание | 2.3V | 2.7V |
Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 66-TSSOP (0,400", ширина 10.16mm) | Пакет изделий поставщика | 66-TSOP II |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43R16160F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R86400D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R86400D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800A-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800C-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
СТРАНИЦЫ
● Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
● высокоскоростные скорости передачи данных с системой
частота до 933 МГц
● 8 внутренних банков для одновременной работы
● 8n-битная архитектура предварительного поиска
● Программируемая задержка CAS
● Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
● Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
● Программируемая длина взрыва: 4 и 8
● Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевая
● переключатель BL на лету
● Автоматическое обновление (ASR)
● Самообновляющаяся температура (SRT)
● Продолжительность обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
● Частичный массив самообновление
● Асинхронный кнопок RESET
● Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только для x8)
● ОКД (регулирование импеданса драйвера с помощью другого микросхемы)
● Динамическая ODT (окончательное устройство)
● Сила водителя: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Напишите выравнивание
● До 200 МГц при выключенном режиме DLL
● Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Серия | - |
Опаковка | Замена упаковки на подносе |
Пакетный чехол | 66-TSSOP (0,400", ширина 10,16 мм) |
Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Интерфейс | Параллельно |
Напряжение | 2.3 В ~ 2,7 В |
Пакет изделий поставщика | 66-TSOP II |
Способность памяти | 256 М (16 М х 16) |
Тип памяти | DDR SDRAM |
Скорость | 166 МГц |
Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) Параллельно 166MHz 700ps 66-TSOP II
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Порекомендованные продукты