Все продукты
Контактное лицо : Zhao
Номер телефона : +8613724359686
WhatsApp : +8618018788085

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Альянс памяти, Inc.

  • AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.
Фирменное наименование Alliance Memory, Inc.
Номер модели AS4C4M16SA-6TIN
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM Размер запоминающего устройства 64Mbit
Организация памяти 4M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 166 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки 5,4 ns Напряжение - питание 3V ~ 3,6V
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 54-TSOP (0,400", ширина 10.16mm) Пакет изделий поставщика 54-TSOP II
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SB-6TIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
AS4C16M16SB-7TCN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TINTR IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TIN IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:LTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Альянс Память, Inc.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Тип SDRAM
Опаковка Поднос
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол 54-TSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 54-ТСОП II
Способность памяти 64M (4M x 16)
Тип памяти SDRAM
Скорость 166 МГц
Время доступа 5.4 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 85 C
Диапазон температуры работы - 40 градусов.
Организация 4 М х 16
Максимальный ток подачи 50 мА
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 3.6 В
Напряжение питания-минус 3 В
Пакетный чехол TSOP-54
Максимальная часовая частота 166 МГц

Описания

Память SDRAM IC 64Mb (4M x 16) Параллельно 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
DRAM
Бирки:

Стабилизированная флэш-память IC

Флэш-память IC не испаряющая

Флэш-память IC SPI