DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1 Мбит PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Фирменное наименование Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Номер модели DS1345YP-70+
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти NVSRAM
Технологии NVSRAM (слаболетучее SRAM) Размер запоминающего устройства 1Мбит
Организация памяти 128K x 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота - Напишите время цикла - слово, страницу 70ns
Время выборки 70 ns Напряжение - питание 4.5V ~ 5.5V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан модуль 34-PowerCap™ Пакет изделий поставщика модуль 34-PowerCap
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Описание

DS1345 1024k NV SRAM составляет 1,048,576 бит, полностью статические, NV SRAM организованные как 131,072 слова на 8 бит.Каждая NV SRAM имеет самостоятельный литийный источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует VCC на нарушение допустимых условий.При таком состоянии литийный источник энергии автоматически включается, а защита от записи безусловно включена, чтобы предотвратить повреждение данных.Устройства DS1345 имеют специальную схему для мониторинга состояния VCC и состояния внутренней литиевой батареи..

СТРАНИЦЫ

■ 10 лет минимального хранения данных при отсутствии внешнего питания
■ Данные автоматически защищаются при отключении питания
■ Монитор питания перезагружает процессор при потере мощности VCC и держит процессор в режиме перезагрузки во время VCC
■ Монитор батареи ежедневно проверяет оставшуюся емкость
■ Время доступа к чтению и записи 70 нс
■ Неограниченный цикл записи
■ Типичный резервный ток 50μA
■ Обновление на 128k x 8 SRAM, EEPROM или Flash
■ Литийная батарея электрически отключается, чтобы сохранить свежесть до первого заряда
■ полный диапазон работы ВСК ±10% (DS1345Y) или дополнительный диапазон работы ВСК ±5% (DS1345AB)
■ Факультативный диапазон промышленной температуры от -40°C до +85°C, обозначенный IND
■ Пакет PowerCap Module (PCM)
- Модуль, устанавливаемый непосредственно на поверхность
- Заменяемая сцепная PowerCap обеспечивает литийную резервную батарею
- Стандартизированная вывеска для всех нелетающих (NV) продуктов SRAM
Имя?

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Максим Интегрирован
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия DS1345Y
Опаковка Трубка
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол Модуль 34-PowerCap?
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 4.5 V ~ 5.5 V
Пакет изделий поставщика Модуль 34-PowerCap
Способность памяти 1M (128K x 8)
Тип памяти NVSRAM (нелетающая SRAM)
Скорость 70 нм
Время доступа 70 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 70 C
Диапазон температуры работы 0 C
Операционный ток 85 мА
Тип интерфейса Параллельно
Организация 128 к × 8
Часть-#-Алиазы 90-1345Y+P70 DS1345Y
ширина ширины ширины 8 бит
Максимальное напряжение питания 5.5 В
Напряжение питания-минус 4.5 В
Пакетный чехол Модуль PowerCap-34

Описания

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 1Mb (128K x 8) Параллельный 70ns 34-PowerCap Модуль
NVRAM 1024K NV SRAM с аккумуляторным монитором