MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96FBGA Micron Technology Inc.

Фирменное наименование Micron Technology Inc.
Номер модели MT41J128M16HA-125 IT:D
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM - DDR3 Размер запоминающего устройства 2Gbit
Организация памяти 128M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 800 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки 13,75 ns Напряжение - питание 1.425V | 1.575V
Операционная температура -40°C | 95°C (TC) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 96-TFBGA Пакет изделий поставщика 96-FBGA (9x14)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
MT41K256M16TW-107 AUT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-107G:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AAT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AIT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D TR IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-107G:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

DDR3 SDRAM

2 Гб: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Особенности

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1,5 В центрально-окончательный I/O
• Дифференциальная двунаправленная данная
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
• 8 внутренних банков
• Номинальное и динамическое завершение (ODT) для сигналов данных, светодиодов и масок
• Программируемая задержка чтения CAS (CL)
• Зарегистрированная латентность CAS-аддитива (AL)
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
• Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и взрыв (BC) 4 (через режим реестра [MRS])
• Избираемый BC4 или BL8 на лету (OTF)
• Режим самообновления
• TC от 0°C до 95°C
64 мс, 8192 цикла обновления от 0°C до 85°C
32 мс, 8192 цикла обновления при 85°C до 95°C
• Температура самообновления (SRT)
• Напишите выравнивание
• Многоцелевой регистр
• Калибровка выходной драйвера

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 96-TFBGA
Операционная температура -40 °C ~ 95 °C (TC)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 1.425 В ~ 1,575 В
Пакет изделий поставщика 96-FBGA (9x14)
Способность памяти 2G (128M x 16)
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость 800 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

SDRAM - DDR3 Память IC 2Gb (128M x 16) Параллельно 800MHz 13,75ns 96-FBGA (9x14)
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-пиновая FBGA