Все продукты
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Фирменное наименование | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Номер модели | IS42S16320F-7BLI |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM | Размер запоминающего устройства | 512Mbit |
| Организация памяти | 32M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 143 MHz | Напишите время цикла - слово, страницу | - |
| Время выборки | 5,4 ns | Напряжение - питание | 3V ~ 3,6V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 54-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 54-TW-BGA (8x13) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS42S16320F-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160B-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6B | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7B | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16800D-6B | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-6B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-7B | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-7B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBL | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBLI | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16160B-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16800D-75EBL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16160B-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7B | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320B-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BLI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42VM16320D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-75BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-75BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-6BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-6BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320B-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS45S16320B-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Обзор устройства
ISSIS 512Mb Synchronous DRAM обеспечивает высокоскоростную передачу данных с использованием архитектуры трубопровода.
СТРАНИЦЫ
• Частота работы: 200, 166, 143 МГц• Полностью синхронный; все сигналы ссылаются на положительный часовой пояс
• Внутренний банк для доступа в прямые ряды/предварительного зарядки
• Источник питания: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• интерфейс LVTTL
• Программируемая длина взрыва ?? (1, 2, 4, 8, полная страница)
• Программируемая последовательность взрывов: последовательность/промежуток
• Автоматическое обновление (CBR)
• Освободите себя
• циклы обновления 8K каждые 64 мс
• Случайный адрес столбца в каждом цикле часов
• Программируемая задержка CAS (2, 3 часа)
• Возможность быстрого чтения/записи и однократного чтения/записи
• Прекращение взрыва командой "стоп" и "предзарядка"
• Пакеты: x8 / x16: 54-контактный TSOP-II, 54-колесный TF-BGA (только x16) x32: 90-колесный TF-BGA
• Диапазон температур: коммерческий (0oC до +70oC) промышленный (-40oC до +85oC) автомобильный, A1 (-40oC до +85oC) автомобильный, A2 (-40oC до +105oC)
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | ИССИ |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Пакетный чехол | 54-TFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 3 В ~ 3,6 В |
| Пакет изделий поставщика | 54-TWBGA (13х8) |
| Способность памяти | 512M (32M x 16) |
| Тип памяти | SDRAM |
| Скорость | 143 МГц |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
Память SDRAM IC 512Mb (32M x 16) Параллельно 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 шары BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
Порекомендованные продукты
