Все продукты
Контактное лицо : Zhao
Номер телефона : +8613724359686
WhatsApp : +8618018788085

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Фирменное наименование Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Номер модели DS1225AD-200+
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти NVSRAM
Технологии NVSRAM (слаболетучее SRAM) Размер запоминающего устройства 64Кбит
Организация памяти 8K x 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота - Напишите время цикла - слово, страницу 200ns
Время выборки 200 ns Напряжение - питание 4.5V ~ 5.5V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Через дыру
Пакет / чемодан 28-DIP-модуль (0,600", 15,24 мм) Пакет изделий поставщика 28-ЕДИП
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Описание

DS1225AB и DS1225AD представляют собой 65536-битные, полностью статичные, нелеткие SRAM, организованные в 8192 слова на 8 бит.Каждая NV SRAM имеет самостоятельный литийный источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует VCC для состояния, выходящего за пределы допустимости..

СТРАНИЦЫ

Минимальное хранение данных в течение 10 лет при отсутствии внешнего питания
Данные автоматически защищаются при отключении питания
Прямая замена 8k x 8 волатильной статической оперативной памяти или EEPROM
Неограниченные циклы записи
Низкомощные CMOS
JEDEC стандартный 28-прикольный пакет DIP
Время доступа к чтению и записи до 70 нс
Источник энергии лития электрически отключен, чтобы сохранить свежесть до первого заряда
Полный диапазон работы VCC ± 10% (DS1225AD)
Необязательно ±5% рабочего диапазона ВЦК (DS1225AB)
Факультативный диапазон промышленной температуры от -40°C до +85°C, обозначенный IND

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Максим Интегрирован
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия DS1225AD
Опаковка Трубка
Стиль установки Через дыру
Пакетный чехол 28-DIP модуль (0,600", 15,24 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 4.5 V ~ 5.5 V
Пакет изделий поставщика 28-EDIP
Способность памяти 64K (8K x 8)
Тип памяти NVSRAM (нелетающая SRAM)
Скорость 200 нс
Время доступа 200 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 70 C
Диапазон температуры работы 0 C
Операционный ток 75 мА
Тип интерфейса Параллельно
Организация 8 к х 8
Часть-#-Алиазы 90-1225A+D00 DS1225AD
ширина ширины ширины 8 бит
Максимальное напряжение питания 5.5 В
Напряжение питания-минус 4.5 В
Пакетный чехол EDIP-28

Функционально совместимый компонент

Форма, упаковка, функционально совместимый компонент

Производитель части# Описание Производитель Сравните
DS1225Y-200+
Память		 Неплавный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-28 Максим Интегрированные продукты DS1225AD-200+ против DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND
Память		 8KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 200 нс, PDMA28, 0,720 дюйма, DIP-28 Рочестер Электроникс LLC DS1225AD-200+ против DS1225AB-200IND
DS1225Y-200
Память		 Неплавный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 Максим Интегрированные продукты DS1225AD-200+ против DS1225Y-200
DS1225AD-200
Память		 Неволатильный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 дюйма, расширенный, DIP-28 Далласский полупроводник DS1225AD-200+ против DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+
Память		 Неплавный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-28 Максим Интегрированные продукты DS1225AD-200+ против DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200
Память		 8KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 200ns, DMA28, DIP-28 Техасские инструменты DS1225AD-200+ против BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
Память		 8KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 200ns, PDIP28 Техасские инструменты DS1225AD-200+ против BQ4010YMA-200
DS1225AB-200
Память		 8KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 200 нс, PDMA28, 0,720 дюйма, DIP-28 Рочестер Электроникс LLC DS1225AD-200+ против DS1225AB-200
DS1225AB-200+
Память		 Неплавный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-28 Максим Интегрированные продукты DS1225AD-200+ против DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+
Память		 Неплавный модуль SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-28 Максим Интегрированные продукты DS1225AD-200+ против DS1225AD-200IND+

Описания

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 64Kb (8K x 8) Параллельная 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k Неволатильная SRAM
Бирки:

Стабилизированная флэш-память IC

Флэш-память IC не испаряющая

Флэш-память IC SPI