Все продукты
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
---|---|---|---|
Технологии | SDRAM - DDR2 | Размер запоминающего устройства | 1Gbit |
Организация памяти | 128M x 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | 400 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
Время выборки | 400 ps | Напряжение - питание | 1.7V ~ 1.9V |
Операционная температура | 0°C | 85°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 60-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 60-TWBGA (8x10.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43DR86400E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-6BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR82560C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR86400D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR81280C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS46DR81280C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | |
IS43DR86400C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
СТРАНИЦЫ
● Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
● высокоскоростные скорости передачи данных с системой
частота до 933 МГц
● 8 внутренних банков для одновременной работы
● 8n-битная архитектура предварительного поиска
● Программируемая задержка CAS
● Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
● Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
● Программируемая длина взрыва: 4 и 8
● Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевая
● переключатель BL на лету
● Автоматическое обновление (ASR)
● Самообновляющаяся температура (SRT)
● Продолжительность обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
● Частичный массив самообновление
● Асинхронный кнопок RESET
● Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только для x8)
● ОКД (регулирование импеданса драйвера с помощью другого микросхемы)
● Динамическая ODT (окончательное устройство)
● Сила водителя: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Напишите выравнивание
● До 200 МГц при выключенном режиме DLL
● Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | DRAM |
RoHS | Подробная информация |
Бренд | ИССИ |
Описания
SDRAM - DDR2 Память IC 1Gb (128M x 8) Параллельная 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-пиновый TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8В, RoHs 400MHz, 128Mx8
Порекомендованные продукты