Все продукты
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Слаболетучий | Формат памяти | NVSRAM |
---|---|---|---|
Технологии | NVSRAM (слаболетучее SRAM) | Размер запоминающего устройства | 1Мбит |
Организация памяти | 128K x 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | - | Напишите время цикла - слово, страницу | 70ns |
Время выборки | 70 ns | Напряжение - питание | 4.75V ~ 5.25V |
Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) | Тип установки | Через дыру |
Пакет / чемодан | Модуль 32-DIP (0,600", 15.24mm) | Пакет изделий поставщика | 32-EDIP |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Описание
Неволатильные SRAM DS1245 1024k:048,576 бит, полностью статичные, нелетающие SRAM организованные как 131,072 слова на 8 бит.Каждая полная NV SRAM имеет самостоятельный литийный источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует VCC на нарушение допустимых условий.При таком состоянии литийный источник энергии автоматически включается, а защита от записи безусловно включена для предотвращения повреждения данных.Устройства DIP-пакета DS1245 могут использоваться вместо существующих 128k x 8 статических оперативной памяти, непосредственно соответствующих популярному 32-контактному стандарту DIP.Устройства DS1245 в пакете PowerCap Module устанавливаются непосредственно на поверхность и обычно сочетаются с DS9034PC PowerCap для формирования полного модуля Nonvolatile SRAM.Нет ограничения на количество циклов записи, которые могут быть выполнены, и для интерфейса микропроцессора не требуется дополнительной поддержки схемы.
СТРАНИЦЫ
■ 10 лет минимального хранения данных при отсутствии внешнего питания■ Данные автоматически защищаются при отключении питания
■ Заменяет 128k x 8 волатильной статической оперативной памяти RAM, EEPROM или Flash-памяти
■ неограниченные циклы записи
■ Низкомощные CMOS
■ Время доступа к чтению и записи 70 нс
■ Литийный источник энергии электрически отключен, чтобы сохранить свежесть до первого заряда
■ полный ±10% рабочий диапазон VCC (DS1245Y)
■ Опциональный диапазон работы VCC ± 5% (DS1245AB)
■ Факультативный диапазон промышленной температуры от -40°C до +85°C, обозначенный IND
■ Стандартный 32-конечный пакет DIP JEDEC
■ Пакет PowerCap Module (PCM)
- Модуль, устанавливаемый непосредственно на поверхность
- Заменяемая сцепная PowerCap обеспечивает литийную резервную батарею
- Стандартизированная таблица для всех нелетающих продуктов SRAM
Имя?
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | Максим Интегрирован |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Серия | DS1245AB |
Опаковка | Трубка |
Стиль установки | Через дыру |
Пакетный чехол | 32-DIP модуль (0,600", 15,24 мм) |
Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Интерфейс | Параллельно |
Напряжение | 40,75 V ~ 5,25 V |
Пакет изделий поставщика | 32-EDIP |
Способность памяти | 1M (128K x 8) |
Тип памяти | NVSRAM (нелетающая SRAM) |
Скорость | 70 нм |
Время доступа | 70 нс |
Формат-память | ОЗУ |
Максимальная рабочая температура | + 70 C |
Диапазон температуры работы | 0 C |
Операционный ток | 85 мА |
Тип интерфейса | Параллельно |
Организация | 128 к × 8 |
Часть-#-Алиазы | 90-1245A+B70 DS1245AB |
ширина ширины ширины | 8 бит |
Максимальное напряжение питания | 5.25 В |
Напряжение питания-минус | 40,75 В |
Пакетный чехол | EDIP-32 |
Производитель части# | Описание | Производитель | Сравните |
DS1245Y-70+ Память |
Неплавный модуль SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-32 | Максим Интегрированные продукты | DS1245AB-70+ против DS1245Y-70+ |
DS1245AB-70IND Память |
128KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 70 нс, DMA32, 0,740 дюйма, расширенный модуль, DIP-32 | Рочестер Электроникс LLC | DS1245AB-70+ против DS1245AB-70IND |
DS1245Y-70IND Память |
128KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ СРАМ-МОДУЛ, 70 нс, DMA32, 0,740 дюйма, расширенный модуль, DIP-32 | Рочестер Электроникс LLC | DS1245AB-70+ против DS1245Y-70IND |
M48Z128Y-70PM1 Память |
128KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ SRAM MODULE, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMикроэлектроника | DS1245AB-70+ против M48Z128Y-70PM1 |
DS1245Y-70 Память |
Неволатильный модуль SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 дюйма, расширенный модуль, DIP-32 | Максим Интегрированные продукты | DS1245AB-70+ против DS1245Y-70 |
DS1245AB-70 Память |
Неплавный модуль SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Далласский полупроводник | DS1245AB-70+ против DS1245AB-70 |
DS1245Y-70IND+ Память |
Неплавный модуль SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-32 | Максим Интегрированные продукты | DS1245AB-70+ против DS1245Y-70IND+ |
DS1245AB-70IND+ Память |
Неплавный модуль SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, соответствующий требованиям ROHS, DIP-32 | Максим Интегрированные продукты | DS1245AB-70+ против DS1245AB-70IND+ |
M48Z128-70PM1 Память |
128KX8 НЕВОЛАТИВНЫЙ SRAM MODULE, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STMикроэлектроника | DS1245AB-70+ против M48Z128-70PM1 |
Описания
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 1Mb (128K x 8) Параллельная 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Неволатильная
Порекомендованные продукты