Все продукты
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM-DDR | Размер запоминающего устройства | 256Mbit |
| Организация памяти | 16M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
| Время выборки | 700 ps | Напряжение - питание | 2.3V | 2.7V |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 60-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 60-TFBGA (8x13) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M16D1-5BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C8M16D1-5BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| AS4C64M8D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C16M16D1-5BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C64M8D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C32M16D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| IS46R16160F-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Особенности
• Организация: 1,048,576 слов × 4 бита• Высокая скорость
- 40/50/60/70 нс времени доступа к RAS
- 20/25/30/35 ns время доступа к адресу столбца
- 10/13/15/18 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 385 мВт максимум (-60)
- В режиме ожидания: 5,5 мВт максимум, CMOS I/O
• режим быстрой страницы (AS4C14400) или EDO (AS4C14405)
• 1024 цикла обновления, интервал обновления 16 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 300 миллилитров, 20/26-пиновый SOJ
- 300 миллилитров, 20/26-принтовая ПТП
• Единое 5В питание
• Защита от ESD ≥ 2001V
• Замыкающий ток ≥ 200 мА
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Альянс Память, Inc. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | AS4C16M16D1 |
| Тип | DDR1 |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Стиль установки | SMD/SMT |
| Пакетный чехол | 60-TFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 2.3 В ~ 2,7 В |
| Пакет изделий поставщика | 60-TFBGA (13x8) |
| Способность памяти | 256 М (16 М х 16) |
| Тип памяти | DDR SDRAM |
| Скорость | 200 МГц |
| Время доступа | 0.7 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Диапазон температуры работы | 0 C |
| Организация | 16 М х 16 |
| Максимальный ток подачи | 135 мА |
| ширина ширины ширины | 16 бит |
| Максимальное напряжение питания | 2.7 В |
| Напряжение питания-минус | 2.3 В |
| Пакетный чехол | TFBGA-60 |
| Максимальная часовая частота | 200 МГц |
Описания
SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Порекомендованные продукты

