AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.

Фирменное наименование Alliance Memory, Inc.
Номер модели AS4C16M16D1-5BCN
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM-DDR Размер запоминающего устройства 256Mbit
Организация памяти 16M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 200 МГц Напишите время цикла - слово, страницу 15ns
Время выборки 700 ps Напряжение - питание 2.3V | 2.7V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 60-TFBGA Пакет изделий поставщика 60-TFBGA (8x13)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C8M16D1-5BIN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
AS4C64M8D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C16M16D1-5BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
IS46R16160F-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16320E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-5B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-6BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16160F-5BI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Особенности

• Организация: 1,048,576 слов × 4 бита
• Высокая скорость
- 40/50/60/70 нс времени доступа к RAS
- 20/25/30/35 ns время доступа к адресу столбца
- 10/13/15/18 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 385 мВт максимум (-60)
- В режиме ожидания: 5,5 мВт максимум, CMOS I/O
• режим быстрой страницы (AS4C14400) или EDO (AS4C14405)
• 1024 цикла обновления, интервал обновления 16 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 300 миллилитров, 20/26-пиновый SOJ
- 300 миллилитров, 20/26-принтовая ПТП
• Единое 5В питание
• Защита от ESD ≥ 2001V
• Замыкающий ток ≥ 200 мА

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Альянс Память, Inc.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия AS4C16M16D1
Тип DDR1
Опаковка Замена упаковки на подносе
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол 60-TFBGA
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.3 В ~ 2,7 В
Пакет изделий поставщика 60-TFBGA (13x8)
Способность памяти 256 М (16 М х 16)
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость 200 МГц
Время доступа 0.7 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 70 C
Диапазон температуры работы 0 C
Организация 16 М х 16
Максимальный ток подачи 135 мА
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 2.7 В
Напряжение питания-минус 2.3 В
Пакетный чехол TFBGA-60
Максимальная часовая частота 200 МГц

Описания

SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1