Все продукты
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 78FBGA Micron Technology Inc.
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM - DDR4 | Размер запоминающего устройства | 8 Гбит |
| Организация памяти | 1G х 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1,6 GHz | Напишите время цикла - слово, страницу | - |
| Время выборки | - | Напряжение - питание | 1.14V | 1.26V |
| Операционная температура | -40°C | 95°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 78-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 78-FBGA (7.5x11) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A4G4SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:H | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075 C:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E PS:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062EPS:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E PS:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Описание
Эти 1500-ваттные подавляющие напряжение предлагают возможности обработки мощности, которые можно найти только в более крупных пакетах.Они чаще всего используются для защиты от транзиторов из среды индуктивного переключения или индуцированных вторичных молниеносных эффектов, как это встречается в более низких уровнях перенапряжения IEC61000-4-5Благодаря очень быстрому времени отклика они также эффективно защищают от ESD или EFT.В комплекте Powermite® есть полностью металлическое дно, которое исключает возможность зацепления сварного потока во время сборки.Они также обеспечивают уникальную блокировку вкладки, действующей в качестве интегрального теплоотвода.паразитарная индуктивность минимизирована, чтобы уменьшить перенапряжение напряжения во время быстрого подъема временных переходов.
СТРАНИЦЫ
• Очень низкий профиль поверхности установки пакета (1.1 мм)• Интегральные блокировщики теплоотводов
• Совместима с автоматическим оборудованием для вставки
• Полный металлический дно исключает зацепление потока
• Диапазон напряжения от 5 до 170 вольт
• Доступен как в однонаправленном, так и в двунаправленном режиме (суффикс C для двунаправленного)
Максимальные рейтинги
• Рабочая температура: -55°C до +150°C• Температура хранения: от -55°C до +150°C
• Пиковая мощность импульса 1500 Вт (10 / 1000 мкс)
• Напряжение вперед: 200 ампер при 8,3 мс (кроме двунаправленного)
• Уровень повышения частоты повторения (фактор нагрузки): 0,01%
• Тепловое сопротивление: 2,5°C / ватт соединение с вкладкой 130°C / ватт соединение с окружающей средой с рекомендуемым отпечатком
• Температура свинца и установки: 260°C в течение 10 секунд
Приложения / Преимущества
• Вторичная временная защита от молнии• Индуктивная защита от переменных
• Небольшой отпечаток
• Очень низкая паразитарная индуктивность для минимального превышения напряжения
• Соответствует стандартам IEC61000-4-2 и IEC61000-4-4 для защиты от ESD и EFT соответственно и IEC61000-4-5 для уровней перенапряжения, определенных в настоящем документе
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Чипы IC |
| Мфр | Микрон Технологии Инк. |
| Серия | - |
| Пакет | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип памяти | Летучие |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - DDR4 |
| Размер памяти | 8 Гб (1 Гб x 8) |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Часовая частота | 1,6 ГГц |
| Пишите-цикл-время-слово-страница | - |
| Напряжение | 1,14V ~ 1,26V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакетный чехол | 78-TFBGA |
| Пакет изделий поставщика | 78-FBGA (7,5x11) |
| Номер базового продукта | MT40A1 |
Порекомендованные продукты

