Все продукты
W979H2KBVX2I IC DRAM 512 Мбит PAR 134VFBGA Winbond Electronics
| Фирменное наименование | Winbond Electronics |
|---|---|
| Номер модели | W979H2KBVX2I |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM - мобильная LPDDR2 | Размер запоминающего устройства | 512Mbit |
| Организация памяти | 16M x 32 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
| Время выборки | - | Напряжение - питание | 1.14V ~ 1.95V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 134-VFBGA | Пакет изделий поставщика | 134-VFBGA (10x11.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W979H2KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2I TR | IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA | |
| W97AH2NBVA2I | IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H2KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H2KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H2KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L128M32D2MH-25 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L128M32D2MH-3 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AIT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH2KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH2KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH2KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH2KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH6KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH6KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AIT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDPC-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDPC-1D-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 IT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Общее описание
W9712G6JB - это 128M битная DDR2 SDRAM, организованная в 2,097,152 слова ×4 банки ×16 бит. Это устройство достигает высокой скорости передачи данных до 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) для общих приложений. W9712G6JB сортируется на следующие классы скорости: -18, -25,25I-18 соответствует спецификации DDR2-1066 (7-7-7).-25/25I/25A соответствуют спецификации DDR2-800 (5-5-5) или DDR2-800 (6-6-6) (промышленный класс 25I и автомобильный класс 25A, гарантированный поддержкой -40 °C ≤TCASE ≤95 °C). -3 соответствует спецификации DDR2-667 (5-5-5).
СТРАНИЦЫ
Подача питания: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 VАрхитектура двойной скорости передачи данных: две передачи данных в часовой цикл
CAS-задержка: 3, 4, 5, 6 и 7
Длина взрыва: 4 и 8
Двухнаправленные дифференциальные страбофоры данных (DQS и DQS) передаются / принимаются с данными
Край выровнен с данными чтения и центр выровнен с данными записи
DLL выстраивает переходы DQ и DQS с часами
Дифференциальные часовые входы (CLK и CLK)
Маски данных для записи данных.
Команды, введенные на каждом положительном краю CLK, данных и маски данных, ссылаются на оба края DQS
Поддерживается программируемая аддитивная задержка CAS для повышения эффективности командной и шины данных
Прочитание задержки = добавленная задержка плюс CAS-задержка (RL = AL + CL)
Регулирование импеданса (OCD) и On-Die-Termination (ODT) для улучшения качества сигнала
Операция автоматической предварительной зарядки для прочтения и записи
Режимы автоматического обновления и самообновления
Заранее заряженное отключение питания и активное отключение питания
Написать маску данных
Запишите задержку = задержку чтения - 1 (WL = RL - 1)
Интерфейс: SSTL_18
Упаковано в WBGA 84 Ball (8X12,5 мм)2), используя материалы без свинца, соответствующие требованиям RoHS
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Уинбонд Электроникс |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Поднос |
| Пакетный чехол | 134-VFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,14 В ~ 1,95 В |
| Пакет изделий поставщика | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Способность памяти | 512M (16M x 32) |
| Тип памяти | Мобильная LPDDR2 SDRAM |
| Скорость | 400 МГц |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - Мобильная память LPDDR2 IC 512Mb (16M x 32) Параллельная 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Высокоскоростной SDRAM, CLOCK RATE до 533 МГц, четырёх внутренних банков
Порекомендованные продукты
