Все продукты
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.
| Фирменное наименование | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Номер модели | 70V657S10DRG |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | SRAM |
|---|---|---|---|
| Технологии | SRAM - двойной порт, асинхронный | Размер запоминающего устройства | 1.125 Мбит |
| Организация памяти | 32K x 36 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | - | Напишите время цикла - слово, страницу | 10ns |
| Время выборки | 10 нс | Напряжение - питание | 3,15 В ~ 3,45 В |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 208-BFQFP | Пакет изделий поставщика | 208-PQFP (28x28) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T651S10DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S15DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S4DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S6DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3579S4DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S133DRI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S15DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S15DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V7599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DRG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Описание
IDT70V659/58/57 представляет собой высокоскоростную 128/64/32K x 36 асинхронную двойную портативную статическую оперативную память.IDT70V659/58/57 предназначен для использования как самостоятельная 4/2/1Mbit Dual-Port RAM или как комбинация MASTER/SLAVE Dual-Port RAM для 72-битных или более словных системИспользование подхода IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM в 72-битных или более широких системах памяти приводит к полной скорости, без ошибок без необходимости дополнительной дискретной логики.
Особенности
◆ Истинные двойные ячейки памяти, позволяющие одновременный доступ к одному и тому же месту памяти◆ Высокоскоростной доступ
Коммерческая: 10/12/15 нс (максимум.)
Промышленный: 12/15 нс (максимум)
◆ Двойной чип позволяет расширяться без внешней логики
◆ IDT70V659/58/57 легко расширяет ширину шины шины до 72 битов или более с помощью выбора Master/Slave при каскадном использовании более одного устройства
◆ M/S = VIH для знака вывода BUSY на Master, M/S = VIL для ввода BUSY на Slave
◆ Загруженные и прерываемые флаги
◆ Логика арбитража портов на чипе
◆ Полная поддержка аппаратного обеспечения на чипе для сигнализации семафоров между портами
◆ Полностью асинхронная работа с обеих сторон
◆ Отдельные байтные элементы управления для совместимости мультиплексной шины и шины
◆ Поддерживает функции JTAG, соответствующие стандарту IEEE 1149.1
◆ LVTTL-совместимый, один 3.3V (± 150mV) источник питания для ядра
◆ LVTTL-совместимое, выбираемое 3,3V (± 150mV) /2,5V (± 100mV) питание для I/O и управляющих сигналов на каждом порту
◆ Изготовлен в 208-колонном пластиковом четырёхколонном пакете, в 208-колонном тонкопрочном шаровом массиве и в 256-колонном шаровом массиве.
◆ Промышленный диапазон температуры (от 40°C до +85°C) доступен для выбранных скоростей
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Интегрированные схемы |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | 70V657 |
| Тип | Асинхронные |
| Опаковка | Поднос |
| Стиль установки | SMD/SMT |
| Пакетный чехол | 208-BFQFP |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 30,15 В ~ 3,45 В |
| Пакет изделий поставщика | 208-PQFP (28х28) |
| Способность памяти | 1.125M (32K x 36) |
| Тип памяти | SRAM - двойной порт, асинхронный |
| Скорость | 10 нс |
| Время доступа | 10 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Диапазон температуры работы | 0 C |
| Тип интерфейса | Параллельно |
| Организация | 32 к х 36 |
| Максимальный ток подачи | 500 мА |
| Часть-#-Алиазы | 70V657 IDT70V657S10DRG |
| Максимальное напряжение питания | 3.45 В |
| Напряжение питания-минус | 3.15 В |
| Пакетный чехол | PQFP-208 |
| Производитель части# | Описание | Производитель | Сравните |
| IDT70V657S10BFG Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, 0,80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против IDT70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG Память |
CABGA-208, Поднос | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против 70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG8 Память |
CABGA-208, катушка | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против 70V657S10BFG8 |
| IDT70V657S10BFG8 Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, 0,80 MM PITCH, FPBGA-208 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против IDT70V657S10BFG8 |
| 70V657S10BC Память |
CABGA-256, Поднос | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против 70V657S10BC |
| IDT70V657S10DRG Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, высота 3,50 MM, ЗЕЛЕНАЯ, ПЛАСТИЧЕСКАЯ, QFP-208 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против IDT70V657S10DRG |
| IDT70V657S10BCG Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против IDT70V657S10BCG |
| 70V657S10BCG Память |
CABGA-256, Поднос | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против 70V657S10BCG |
| IDT70V657S10BC Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против IDT70V657S10BC |
| 70V657S10BCG8 Память |
Двухпортовая SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | Интегрированная технология устройств | 70V657S10DRG против 70V657S10BCG8 |
Описания
SRAM - Двойной порт, асинхронная память IC 1.125Mb (32K x 36) Параллельный 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP оперативная память
Порекомендованные продукты
