Все продукты
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 144FBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ411МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412МТ412 |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | ДРАХМА | Размер запоминающего устройства | 288 Мбит |
| Организация памяти | 16м х 18м | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | - |
| Время выборки | 20 нс | Напряжение - питание | 1.7V ~ 1.9V |
| Операционная температура | 0°C | 95°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 144-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 144-FBGA (18.5x11) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT49H16M18SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-5 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M16FM-5 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36BM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36SJ-5:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Общее описание
The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM не требует мультиплексирования адресов строк/столбцов и оптимизирован для быстрого случайного доступа и высокоскоростной пропускной способности.RLDRAM предназначена для хранения данных связи, таких как буфер передачи или приема в телекоммуникационных системах, а также для приложений кэша данных или инструкций, требующих большого объема памяти.
СТРАНИЦЫ
• 2,5В VEXT, 1,8В VDD, 1,8В VDDQ I/O• Циклическое банковское адресование для максимальной пропускной способности данных
• Немультиплексовые адреса
• Непрерывный последовательный взрыв двух (2-битный)
prefetch) и четыре (4-битный prefetch) DDR
• Целевая скорость передачи данных 600 Мбит/с/с
• Программируемая задержка чтения (RL) 5-8
• Действительный сигнал данных (DVLD), активированный при наличии данных чтения
• Сигналы Маски данных (DM0/DM1) для маскировки сначала и
Вторая часть записи данных взрыв
• Сканирование границ JTAG, соответствующее стандарту IEEE 1149.1
• Псевдо-HSTL 1.8В В/В питание
• Внутренняя автоматическая зарядка
• Требования к обновлению: 32 мс при 100°C
температура (8K обновление для каждого банка, 64K обновление
команды должны выдаваться в общей сложности каждые 32 мг)
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR) |
| Пакетный чехол | 144-TFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,7 V ~ 1,9 V |
| Пакет изделий поставщика | 144-μBGA (18,5x11) |
| Способность памяти | 288M (16M x 18) |
| Тип памяти | RLDRAM 2 |
| Скорость | 2.5 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
Память DRAM IC 288Mb (16M x 18) Параллельная 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
Порекомендованные продукты
