Все продукты
Контактное лицо : Zhao
Номер телефона : +8613724359686
WhatsApp : +8618018788085

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Фирменное наименование Micron Technology Inc.
Номер модели MT41K256M8DA-125: K
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM - DDR3L Размер запоминающего устройства 2Gbit
Организация памяти 256 м х 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 800 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки 13,75 ns Напряжение - питание 1.283V | 1.45V
Операционная температура 0°C | 95°C (TC) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 78-TFBGA Пакет изделий поставщика 78-FBGA (8x10.5)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

[MCL]

Широкополосный усилитель CW TWT LAB

Для испытаний радиолокационных, электромагнитных и электромагнитных систем

Широкополосный усилитель MT4100 использует проверенную на практике архитектуру MT4000 TWT.

модульный дизайн, компактная и эффективная упаковка, MT4100 будет демонстрировать непревзойденную надежность.

СТРАНИЦЫ:

Обширные возможности диагностики
Продвинутая тепловая конструкция
Компактный размер
Охлаждение по каналам
Тихая операция

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Замена упаковки на подносе
Пакетный чехол 78-TFBGA
Операционная температура 0°C ~ 95°C (TC)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 1.283 В ~ 1.45 В
Пакет изделий поставщика 78-FBGA (8x10.5)
Способность памяти 2G (256M x 8)
Тип памяти DDR3L SDRAM
Скорость 800 МГц
Формат-память ОЗУ
Мфр Микрон Технологии Инк.
Пакет Поднос
Статус продукта Активный
Тип памяти Летучие
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - DDR3L
Размер памяти 2 Гб (256 Мх x 8)
Интерфейс памяти Параллельно
Часовая частота 800 МГц
Пишите-цикл-время-слово-страница -
Время доступа 13,75 нс
Напряжение 1,283V ~ 1,45V
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакетный чехол 78-TFBGA
Номер базового продукта МТ41К256М8

Функционально совместимый компонент

Форма, упаковка, функционально совместимый компонент

Производитель части# Описание Производитель Сравните
H5TQ2G83CFR-H9C
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83CFR-H9C
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3
Память		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, без свинца, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K против MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, свободная от свинца, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K против MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-107:K
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM HEIGHT, свободная от свинца, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K против MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и совместима с ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и совместима с ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
Память		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, без галогенов и совместима с ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K против H5TQ2G83DFR-PBC

Описания

SDRAM - DDR3L Память IC 2Gb (256M x 8) Параллельно 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10.5)
DRAM Чип DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-пиновая FBGA
Бирки:

Стабилизированная флэш-память IC

Флэш-память IC не испаряющая

Флэш-память IC SPI