W631GG6KB-12 IC DRAM 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96WBGA Winbond Electronics

Фирменное наименование Winbond Electronics
Номер модели W631GG6KB-12
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM - DDR3 Размер запоминающего устройства 1Gbit
Организация памяти 64M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 800 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки 20 нс Напряжение - питание 1.425V | 1.575V
Операционная температура 0°C | 85°C (TC) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 96-TFBGA Пакет изделий поставщика 96-WBGA (9x13)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA
W632GG6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB15J IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15J IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Общее описание

W631GG6KB - это 1G битная DDR3 SDRAM, организованная в 8,388,608 слов x 8 банков x 16 бит. Это устройство достигает высокой скорости передачи данных до 1866 Мб/сек/пина (DDR3-1866) для различных приложений. W631GG6KB сортируется на следующие классы скорости: -11,- 12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A и 15K. Степень скорости -11 соответствует спецификации DDR3-1866 (13-13-13).Степени скорости 12A и 12K соответствуют спецификации DDR3-1600 (11-11-11) (промышленный класс 12I, гарантированный для поддержки -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)-5, 15I, 15A и 15K скоростные классы соответствуют спецификации DDR3-1333 (9-9-9) (промышленный класс 15I, который гарантированно поддерживает -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

СТРАНИЦЫ

В случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае, если не установлено соответствующее устройство, то в случае необходимости вводится дополнительное устройство.
Архитектура двойной скорости передачи данных: две передачи данных в часовой цикл
8 внутренних банков для одновременной работы
Архитектура 8-битного предварительного поиска
¢ CAS-задержка: 6, 7, 8, 9, 10, 11 и 13
Режимы взрывной длины 8 (BL8) и взрывной лопатки 4 (BC4): фиксированы с помощью регистра режима (MRS) или выбираются на лету (OTF)
Програмируемое редактирование считывания: перемещенное или последовательное
Двунаправленные дифференциальные светофоры данных (DQS и DQS#) передаются/принимаются с данными
️ Крайняя сбалансированность с данными чтения и центральная сбалансированность с данными записи
DLL выстраивает переходы DQ и DQS с часами
Входные сигналы дифференциального часа (CK и CK#)
Команды, введенные на каждом положительном краю CK, данных и маски данных, ссылаются на оба края дифференциальной пары данных (двойная скорость передачи данных)
️ Опубликованный CAS с программируемой аддитивной задержкой (AL = 0, CL - 1 и CL - 2) для повышения эффективности команды, адресации и шины данных
Прочитание задержки = аддитивная задержка плюс CAS задержка (RL = AL + CL)
¢ Автоматическая зарядка для зачитывания и записи
Обновить, самообновить, автоматически самообновить (ASR) и частично самообновить массив (PASR)
 Precharged Power Down and Active Power Down

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Уинбонд Электроникс
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Категории прямоугольные соединители - массивы, тип края, мезаннин (от доски до доски)
Производитель Hirose Electric Co Ltd.
Серия IT1
Опаковка Поднос
Статус части Активный
Тип соединителя Модуль, контакты центральной полосы
Количество позиций 252 позиции
Стрелка 0.020" (0,50 мм)
Количество строк 2 ряда
Тип установки -
Особенности Двухсторонний
Контакт-завершение Золото
Толщина контактной отделки -
Высота накладывания -
Высота над бортом -

Описания

SDRAM - DDR3 Память IC 1Gb (64M x 16) Параллельная 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
DRAM Чип DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-пиновая WBGA