IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.

СТРАНИЦЫ

• Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
• высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 933 МГц
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Программируемая задержка CAS
• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
• Программируемая длина взрыва: 4 и 8
• Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
• переключатель BL на лету
• Автоматическое обновление (ASR)
• Самообновляемая температура (SRT)
• Интервал обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
• Частичный массив самообновление
• Асинхронный кнопку RESET
• Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
• OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
• Динамическая ODT (окончание операции на месте)
• Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Напишите выравнивание
• До 200 МГц в режиме выключения DLL
• Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)