Все продукты
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC ФЛЕШ-ОЗУ 4 ГБИТ PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | МТ2С4С4С4С4С4С4С4С4 |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Нелетающий, летучий | Формат памяти | ВСПЫШКА, RAM |
|---|---|---|---|
| Технологии | Flash - NAND, мобильная LPDRAM | Размер запоминающего устройства | 4 Гбит (NAND), 2 Гбит (LPDRAM) |
| Организация памяти | 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 208 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | - |
| Время выборки | - | Напряжение - питание | 1.7V | 1.95V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 168-WFBGA | Пакет изделий поставщика | 168-WFBGA (12х12) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB2432BCPA-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB2432BCPE-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-D | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB1332BDPA-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-R TR | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Общее описание
Устройства Micron NAND Flash включают асинхронный интерфейс данных для высокопроизводительных операций ввода/вывода.Есть пять сигналов управления, используемых для реализации асинхронного интерфейса данных: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы контролируют защиту от записи оборудования и отслеживают состояние устройства (R/B#).Этот аппаратный интерфейс создает устройство с низким количеством пин-код с стандартным пин-аутом, который остается таким же от одной плотности к другой, что позволяет в будущем модернизировать к более высокой плотности без перепроектирования платы.
Цель - это единица памяти, к которой имеет доступ сигнал включения чипа.NAND Flash Die - это минимальное устройство, которое может самостоятельно выполнять команды и сообщать о состоянии. NAND Flash Die, в спецификации ONFI, называется логической единицей (LUN).см. Организация устройств и массивов.
Это устройство имеет внутреннюю 4-битную ECC, которая может быть включена с помощью функций GET/SET.
Для получения дополнительной информации см. Внутренние карты ECC и карты запасных площадей для ECC.
Особенности
• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 1.01• Технология одноуровневых ячеек (SLC)
• Организация
Размер страницы x8: 2112 байтов (2048 + 64 байта)
Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова)
Размер блока: 64 страницы (128K + 4K байт)
Размер самолета: 2 самолета х 2048 блоков на самолет
Размер устройства: 4 Гб: 4096 блоков; 8 Гб: 8192 блока 16 Гб: 16 384 блока
• Асинхронная производительность ввода/вывода
¢ tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)
• Производительность массива
Читать страницу: 25μs 3
Страница программы: 200μs (ТИП: 1.8V, 3.3V)
Блок стирания: 700μs (TYP)
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
Режим кэша страницы программы4
Читать страницу в кэше 4
Одноразовый программируемый режим (OTP)
– Two-plane commands 4
¢ операции с интерливером (LUN)
Читать уникальный идентификатор
Блок блокировки (только 1,8 В)
Внутреннее перемещение данных
• Байт состояния операции обеспечивает программный метод для обнаружения
Окончание операции
Условия прохождения/отказы
Статус защиты от записи
• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции
• Сигнал WP#: Запишите защитить все устройство
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при отправке с завода с ECC. Для минимального требуемого ECC см. Управление ошибками.
• Блок 0 требует 1-битного ECC, если циклы PROGRAM/ERASE меньше 1000
• В качестве первой команды после включения требуется SET (FFh)
• Альтернативный метод инициализации устройства (Nand_In it) после включения (контактный завод)
• Поддерживаются операции внутреннего перемещения данных в плоскости, с которой читаются данные
• Качество и надежность
Хранение данных: 10 лет
Продолжительность: 100 000 циклов программы/удаления
• Диапазон рабочего напряжения
ВВС: 2,7-3,6 В.
ВВС: 1,7-1,95 В
• Рабочая температура:
Коммерческая: от 0 до +70°С
Промышленный (IT): от 40 до + 85 °C
• Пакет
– 48-pin TSOP type 1, CPL2
- 63-пальцовый VFBGA.
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Категории | PMIC - Управление электроэнергией - Специализация |
| Производитель | Диоды встроенные |
| Серия | - |
| Статус части | В последний раз покупал |
| Заявления | Контроллер нагрева |
| Поставка тока | - |
| Напряжение | 4 В ~ 5,5 В |
| Операционная температура | -20°C ~ 85°C (TA) |
Описания
ФЛАСШ - NAND, Мобильная память LPDRAM IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) Параллельная 208MHz
NAND Flash и мобильный LPDDR PoP
Порекомендованные продукты
