MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63VFBGA Micron Technology Inc.

Общее описание

Устройства Micron NAND Flash включают асинхронный интерфейс данных для высокопроизводительных операций ввода/вывода.Есть пять сигналов управления, используемых для реализации асинхронного интерфейса данных: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы контролируют защиту от записи оборудования и отслеживают состояние устройства (R/B#).
Этот аппаратный интерфейс создает устройство с низким количеством пин-код с стандартным пин-аутом, который остается таким же от одной плотности к другой, что позволяет в будущем модернизировать к более высокой плотности без перепроектирования платы.
Цель - это единица памяти, к которой имеет доступ сигнал включения чипа.NAND Flash Die - это минимальное устройство, которое может самостоятельно выполнять команды и сообщать о состоянии. NAND Flash Die, в спецификации ONFI, называется логической единицей (LUN).см. Организация устройств и массивов.
Это устройство имеет внутреннюю 4-битную ECC, которая может быть включена с помощью функций GET/SET.
Для получения дополнительной информации см. Внутренние карты ECC и карты запасных площадей для ECC.

Особенности

• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 1.01
• Технология одноуровневых ячеек (SLC)
• Организация
Размер страницы x8: 2112 байтов (2048 + 64 байта)
Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова)
Размер блока: 64 страницы (128K + 4K байт)
Размер самолета: 2 самолета х 2048 блоков на самолет
Размер устройства: 4 Гб: 4096 блоков; 8 Гб: 8192 блока 16 Гб: 16 384 блока
• Асинхронная производительность ввода/вывода
¢ tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)
• Производительность массива
Читать страницу: 25μs 3
Страница программы: 200μs (ТИП: 1.8V, 3.3V)
Блок стирания: 700μs (TYP)
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
Режим кэша страницы программы4
Читать страницу в кэше 4
Одноразовый программируемый режим (OTP)
– Two-plane commands 4
¢ операции с интерливером (LUN)
Читать уникальный идентификатор
Блок блокировки (только 1,8 В)
Внутреннее перемещение данных
• Байт состояния операции обеспечивает программный метод для обнаружения
Окончание операции
Условия прохождения/отказы
Статус защиты от записи
• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции
• Сигнал WP#: Запишите защитить все устройство
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при отправке с завода с ECC. Для минимального требуемого ECC см. Управление ошибками.
• Блок 0 требует 1-битного ECC, если циклы PROGRAM/ERASE меньше 1000
• В качестве первой команды после включения требуется SET (FFh)
• Альтернативный метод инициализации устройства (Nand_In it) после включения (контактный завод)
• Поддерживаются операции внутреннего перемещения данных в плоскости, с которой читаются данные
• Качество и надежность
Хранение данных: 10 лет
Продолжительность: 100 000 циклов программы/удаления
• Диапазон рабочего напряжения
ВВС: 2,7-3,6 В.
ВВС: 1,7-1,95 В
• Рабочая температура:
Коммерческая: от 0 до +70°С
Промышленный (IT): от 40 до + 85 °C
• Пакет
– 48-pin TSOP type 1, CPL2
- 63-пальцовый VFBGA.