MT29C1G12MAACAEMD-6 IT IC ФЛЕШ-ОЗУ 1 ГБИТ PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

Фирменное наименование Micron Technology Inc.
Номер модели МТ2С1С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Нелетающий, летучий Формат памяти ВСПЫШКА, RAM
Технологии Flash - NAND, мобильная LPDRAM Размер запоминающего устройства 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDRAM)
Организация памяти 128M x 8 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 166 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки - Напряжение - питание 1.7V | 1.95V
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 130-VFBGA Пакет изделий поставщика 130-VFBGA (8x9)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR IC FLSH NAND LPDDR 1.5G 130VFBGA
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Общее описание

Устройства Micron NAND Flash включают асинхронный интерфейс данных для высокопроизводительных операций ввода/вывода.Есть пять сигналов управления, используемых для реализации асинхронного интерфейса данных: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы контролируют защиту от записи оборудования и отслеживают состояние устройства (R/B#).
Этот аппаратный интерфейс создает устройство с низким количеством пин-код с стандартным пин-аутом, который остается таким же от одной плотности к другой, что позволяет в будущем модернизировать к более высокой плотности без перепроектирования платы.
Цель - это единица памяти, к которой имеет доступ сигнал включения чипа.NAND Flash Die - это минимальное устройство, которое может самостоятельно выполнять команды и сообщать о состоянии. NAND Flash Die, в спецификации ONFI, называется логической единицей (LUN).см. Организация устройств и массивов.
Это устройство имеет внутреннюю 4-битную ECC, которая может быть включена с помощью функций GET/SET.
Для получения дополнительной информации см. Внутренние карты ECC и карты запасных площадей для ECC.

Особенности

• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 1.01
• Технология одноуровневых ячеек (SLC)
• Организация
Размер страницы x8: 2112 байтов (2048 + 64 байта)
Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова)
Размер блока: 64 страницы (128K + 4K байт)
Размер самолета: 2 самолета х 2048 блоков на самолет
Размер устройства: 4 Гб: 4096 блоков; 8 Гб: 8192 блока 16 Гб: 16 384 блока
• Асинхронная производительность ввода/вывода
¢ tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)
• Производительность массива
Читать страницу: 25μs 3
Страница программы: 200μs (ТИП: 1.8V, 3.3V)
Блок стирания: 700μs (TYP)
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
Режим кэша страницы программы4
Читать страницу в кэше 4
Одноразовый программируемый режим (OTP)

¢ операции с интерливером (LUN)
Читать уникальный идентификатор
Блок блокировки (только 1,8 В)
Внутреннее перемещение данных
• Байт состояния операции обеспечивает программный метод для обнаружения
Окончание операции
Условия прохождения/отказы
Статус защиты от записи
• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции
• Сигнал WP#: Запишите защитить все устройство
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при отправке с завода с ECC. Для минимального требуемого ECC см. Управление ошибками.
• Блок 0 требует 1-битного ECC, если циклы PROGRAM/ERASE меньше 1000
• В качестве первой команды после включения требуется SET (FFh)
• Альтернативный метод инициализации устройства (Nand_In it) после включения (контактный завод)
• Поддерживаются операции внутреннего перемещения данных в плоскости, с которой читаются данные
• Качество и надежность
Хранение данных: 10 лет
Продолжительность: 100 000 циклов программы/удаления
• Диапазон рабочего напряжения
ВВС: 2,7-3,6 В.
ВВС: 1,7-1,95 В
• Рабочая температура:
Коммерческая: от 0 до +70°С
Промышленный (IT): от 40 до + 85 °C
• Пакет

- 63-пальцовый VFBGA.

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Насыщенные
Пакетный чехол 130-VFBGA
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика 130-VFBGA (8x9)
Способность памяти 1G (128M x 8) ((NAND), 512M (16M x 32) ((LPDRAM)
Тип памяти Flash - NAND, мобильная LPDRAM
Скорость 166 МГц
Формат-память Многочипный (FLASH/RAM)

Описания

Flash - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (128M x 8) ((NAND), 512Mb (16M x 32) ((LPDRAM) Параллельно 166MHz 130-VFBGA (8x9)
MCP 128Mx8 Flash + 16Mx32 LPSDRAM 1.8V 130-Pin VFBGA