Все продукты
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | MT47H128M4CF-25E:Г |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM - DDR2 | Размер запоминающего устройства | 512Mbit |
| Организация памяти | 128м х 4 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
| Время выборки | 400 ps | Напряжение - питание | 1.7V ~ 1.9V |
| Операционная температура | 0°C | 85°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 60-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 60-FBGA (8x10) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M4CF-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 L:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R128M8CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R128M8CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M4CF-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT47R256M4CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R256M4CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8JN-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8JN-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AIT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-25E AAT:M | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AIT:H | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-187E:M TR | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AAT:H | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-25E AAT:M TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AIT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AAT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
DDR2 SDRAM
MT47H256M4MT47H128M8
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 банков
Особенности
• VDD = 1,8V ± 0,1V, VDDQ = 1,8V ± 0,1V• стандарт JEDEC 1.8V I/O (совместим с SSTL_18)
• Дифференциальная стержня данных (DQS, DQS#)
• 4n-битная архитектура предварительного поиска
• Опция дублирования выходной стробографии (RDQS) для x8
• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• Программируемая задержка CAS (CL)
• Зарегистрированная латентность CAS-аддитива (AL)
• WRITE-задержка = READ-задержка - 1 tCK
• Выбираемые длины взрывов (BL): 4 или 8
• Регулируемая мощность привода
• 64 мс, 8192 цикла обновления
• Окончание процесса (ODT)
• Опция промышленной температуры (IT)
• Опция автомобильной температуры (AT)
• Соответствие требованиям RoHS
• Поддерживает спецификацию JEDEC clock jitter
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Поднос |
| Пакетный чехол | 60-TFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,7 V ~ 1,9 V |
| Пакет изделий поставщика | 60-FBGA (8x10) |
| Способность памяти | 512M (128Mx4) |
| Тип памяти | DDR2 SDRAM |
| Скорость | 2.5 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - DDR2 Память IC 512Mb (128M x 4) Параллельная 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60-пинная FBGA
Порекомендованные продукты
