Все продукты
MT46V16M16CY-5B IT:MIC DRAM 256 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | MT46V16M16CY-5B ИТ: M |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM-DDR | Размер запоминающего устройства | 256Mbit |
| Организация памяти | 16M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
| Время выборки | 700 ps | Напряжение - питание | 2,5 В ~ 2,7 В |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 60-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 60-FBGA (8x12.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46V16M16CY-5B IT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B IT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6 IT:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B L IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Общее описание
DDR333 SDRAM представляет собой высокоскоростную CMOS, динамическую память с случайным доступом, которая работает на частоте 167 МГц (tCK = 6 нс) с пиковой скоростью передачи данных 333 Мб/с/с.DDR333 продолжает использовать стандартный интерфейс JEDEC SSTL_2 и архитектуру 2n-prefetch.
СТРАНИЦЫ
• Часы 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мб/с/с•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Двунаправленная стереографическая система данных (DQS), передаваемая/принимаемая с данными, т.е. синхронный с источником захват данных (x16 имеет два - один на байт)
• Внутренняя архитектура с двойной скоростью передачи данных (DDR); два доступа к данным в часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK
• Четыре внутренних банка для одновременной работы
• Маска данных (DM) для маскировки записываемых данных (x16 имеет два - один на байт)
• Программируемые длины взрывов: 2, 4 или 8
• Поддерживается возможность одновременной автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и самообновление
• доступный пакет FBGA
• 2,5 В В/В (совместимая с SSTL_2)
• блокировка tRAS (tRAP = tRCD)
• Обратная совместимость с DDR200 и DDR266
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Пакетный чехол | 60-TFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 2.5 V ~ 2.7 V |
| Пакет изделий поставщика | 60-FBGA (8x12.5) |
| Способность памяти | 256 М (16 М х 16) |
| Тип памяти | DDR SDRAM |
| Скорость | 5 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2,6V 60-пиновая FBGA
Порекомендованные продукты
