Все продукты
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4 ГБИТ, номинал 1,2 ГГц, 78FBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | MT40A1G4RH-083E: B |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM - DDR4 | Размер запоминающего устройства | 4Gbit |
| Организация памяти | 1G x 4 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1,2 GHz | Напишите время цикла - слово, страницу | - |
| Время выборки | - | Напряжение - питание | 1.14V | 1.26V |
| Операционная температура | 0°C | 95°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 78-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 78-FBGA (9x10.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Описание
Эти 1500-ваттные подавляющие напряжение предлагают возможности обработки мощности, которые можно найти только в более крупных пакетах.Они чаще всего используются для защиты от транзиторов из среды индуктивного переключения или индуцированных вторичных молниеносных эффектов, как это встречается в более низких уровнях перенапряжения IEC61000-4-5Благодаря очень быстрому времени отклика они также эффективно защищают от ESD или EFT.В комплекте Powermite® есть полностью металлическое дно, которое исключает возможность зацепления сварного потока во время сборки.Они также обеспечивают уникальную блокировку вкладки, действующей в качестве интегрального теплоотвода.паразитарная индуктивность минимизирована, чтобы уменьшить перенапряжение напряжения во время быстрого подъема временных переходов.
СТРАНИЦЫ
• Очень низкий профиль поверхности установки пакета (1.1 мм)• Интегральные блокировщики теплоотводов
• Совместима с автоматическим оборудованием для вставки
• Полный металлический дно исключает зацепление потока
• Диапазон напряжения от 5 до 170 вольт
• Доступен как в однонаправленном, так и в двунаправленном режиме (суффикс C для двунаправленного)
Максимальные рейтинги
• Рабочая температура: -55°C до +150°C• Температура хранения: от -55°C до +150°C
• Пиковая мощность импульса 1500 Вт (10 / 1000 мкс)
• Напряжение вперед: 200 ампер при 8,3 мс (кроме двунаправленного)
• Уровень повышения частоты повторения (фактор нагрузки): 0,01%
• Тепловое сопротивление: 2,5°C / ватт соединение с вкладкой 130°C / ватт соединение с окружающей средой с рекомендуемым отпечатком
• Температура свинца и установки: 260°C в течение 10 секунд
Приложения / Преимущества
• Вторичная временная защита от молнии• Индуктивная защита от переменных
• Небольшой отпечаток
• Очень низкая паразитарная индуктивность для минимального превышения напряжения
• Соответствует стандартам IEC61000-4-2 и IEC61000-4-4 для защиты от ESD и EFT соответственно и IEC61000-4-5 для уровней перенапряжения, определенных в настоящем документе
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Поднос |
| Пакетный чехол | 78-TFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 1.14 В ~ 1.26 В |
| Пакет изделий поставщика | 78-FBGA (9x10.5) |
| Способность памяти | 4G (1G x 4) |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM |
| Скорость | 18 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - DDR4 Память IC 4Gb (1G x 4) Параллельная 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78-контактная FBGA
Порекомендованные продукты
