Все продукты
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
---|---|---|---|
Технологии | SDRAM - Мобильное LPDDR | Размер запоминающего устройства | 32Mbit |
Организация памяти | 2M x 16 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | 166 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
Время выборки | 5,5 ns | Напряжение - питание | 1.7V | 1.95V |
Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 60-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 60-TFBGA (8x10) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43LR16200D-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400C-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400C-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16400B-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400B-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
СТРАНИЦЫ
• Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V• Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
• высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 933 МГц
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Программируемая задержка CAS
• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
• Программируемая длина взрыва: 4 и 8
• Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
• переключатель BL на лету
• Автоматическое обновление (ASR)
• Самообновляемая температура (SRT)
• Интервал обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
• Частичный массив самообновление
• Асинхронный кнопку RESET
• Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
• OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
• Динамическая ODT (окончание операции на месте)
• Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Напишите выравнивание
• До 200 МГц в режиме выключения DLL
• Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Серия | - |
Опаковка | Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR) |
Пакетный чехол | 60-TFBGA |
Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Интерфейс | Параллельно |
Напряжение | 10,7 В ~ 1,95 В |
Пакет изделий поставщика | 60-TFBGA (8x10) |
Способность памяти | 32M (2M x 16) |
Тип памяти | Мобильная DDR SDRAM |
Скорость | 166 МГц |
Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - Мобильная память LPDDR IC 32Mb (2M x 16) Параллельно 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM Chip DDR SDRAM 32 Мбит 2Mx16 1.8В 60-пинный TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS
Порекомендованные продукты