IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Фирменное наименование ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Номер модели IS43LR16200D-6BL-TR
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM - Мобильное LPDDR Размер запоминающего устройства 32Mbit
Организация памяти 2M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 166 МГц Напишите время цикла - слово, страницу 15ns
Время выборки 5,5 ns Напряжение - питание 1.7V | 1.95V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 60-TFBGA Пакет изделий поставщика 60-TFBGA (8x10)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

СТРАНИЦЫ

• Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
• высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 933 МГц
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Программируемая задержка CAS
• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
• Программируемая длина взрыва: 4 и 8
• Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
• переключатель BL на лету
• Автоматическое обновление (ASR)
• Самообновляемая температура (SRT)
• Интервал обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
• Частичный массив самообновление
• Асинхронный кнопку RESET
• Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
• OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
• Динамическая ODT (окончание операции на месте)
• Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Напишите выравнивание
• До 200 МГц в режиме выключения DLL
• Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель ИССИ
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR)
Пакетный чехол 60-TFBGA
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика 60-TFBGA (8x10)
Способность памяти 32M (2M x 16)
Тип памяти Мобильная DDR SDRAM
Скорость 166 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

SDRAM - Мобильная память LPDDR IC 32Mb (2M x 16) Параллельно 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM Chip DDR SDRAM 32 Мбит 2Mx16 1.8В 60-пинный TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS