S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Технологии Infineon

Общее описание

В настоящем документе содержится информация о устройстве S70FL256P, которое представляет собой двойную сборку из двух стержней S25FL129P.

Отличительные черты
Архитектурные преимущества
■ Операция с единым источником питания
️ полный диапазон напряжения: от 2,7 до 3,6 В чтение и запись
■ архитектура памяти
Однообразные 64 кБ секторы
Блок верхнего или нижнего параметра (два сектора 64-кБ)
Разделенные на шестнадцать подсекторов по 4 кБ каждый) для
Каждый флеш умирает.
Однообразные 256 кБ сектора (без 4-кБ подсекторов)
Размер страницы 256 байтов
■ Программа
️ Программа страниц (до 256 байтов) за 1,5 мс (типично)
Операции программы проводятся по страницам.
Ускоренный режим программирования с помощью 9В W#/ACC
Программирование на четырех страницах
■ Удаление
Функция массового стирания для каждой флэш-смерти
Команда "Удалить сектор" (SE) (D8h) для 64 и 256 кБ
отрасли
Приказ по стиранию подсектора (P4E) (20 ч) для секторов 4 кБ
(только для однородного 64-kB секторального устройства)

(только для однородного 64-kB секторального устройства)
■ Выносливость на велосипеде
100 000 циклов в одном секторе
■ Хранение данных
Обычно 20 лет
■ Идентификатор устройства

Однобайтовая электронная подпись для обратной передачи
совместимость
■ Одноразовая программируемая (OTP) область на каждой флеш-схеме для
постоянная, безопасная идентификация; может быть запрограммирована и
заперты на заводе или заказчиком
■ CFI (Common Flash Interface) совместимость: позволяет принимать
система идентификации и размещения нескольких флеш-устройств
■ Технологии производства
Произведено по технологии процесса MirrorBit® 0,09 мкм
■ Пакетный вариант
Промышленные стандарты

Пакет BGA с 24 шарами (6 x 8 мм), конфигурация 5 x 5 штифтов
(Продолжение...)