MT29F512G08CKCABH7-6: A TR IC FLASH 512 ГБИТ PAR 152TBGA Micron Technology Inc.

Фирменное наименование Micron Technology Inc.
Номер модели MT29F512G08CKCABH7-6:А ТР
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти ВСПЫШКА
Технологии ВСПЫШКА - NAND (MLC) Размер запоминающего устройства 512Gbit
Организация памяти 64G x 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 166 МГц Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки - Напряжение - питание 2.7V ~ 3.6V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 152-TBGA Пакет изделий поставщика 152-TBGA (14х18)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6C:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Общее описание

Устройства Micron NAND Flash включают асинхронный интерфейс данных для высокопроизводительных операций ввода/вывода.Есть пять сигналов управления используется для реализации asyn chronous интерфейс данных: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы контролируют защиту от записи оборудования (WP#) и отслеживают состояние устройства (R/B#).

Особенности

• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 2.2-совместимый1
• Технология многоуровневых клеток (MLC)
• Организация
Размер страницы x8: 8640 байтов (8192 + 448 байтов)
Размер блока: 256 страниц (2048K + 112K байтов)
Размер самолета: 2 самолета х 2048 блоков на самолет
Размер устройства: 64 Гб: 4096 блоков;
128 Гб: 8192 блока;
256 Гб: 16 384 блока;
512 Гб: 32 786 блоков
• Синхронная производительность ввода/вывода
️ до синхронного режима синхронизации 5
Сроки работы: 10 нс (DDR)
Пропускная способность чтения/записи на пин: 200 МТ/с
• Асинхронная производительность ввода/вывода
До 5 режима асинхронного синхронизации

tRC/tWC: 20 нс (MIN)
• Производительность массива
Читать страницу: 50μs (MAX)
Страница программы: 1300μs (TYP)
Блок стирания: 3 мс (TYP)
• Диапазон рабочего напряжения
ВВС: 2,7-3,6 В.
ВВКК: 1,7-1,95 В, 2,7-3,6 В.
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
Каше программы
Читать последовательность кэша
Читать случайный кэш
Одноразовый программируемый режим (OTP)
️ Команды на несколько уровней
¢ операции с несколькими LUN
Читать уникальный идентификатор
Копии
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при отправке
Для минимальной необходимости ECC см.
Управление ошибками (страница 109).
• Ресеть (FFh) требуется в качестве первой команды после включения
на
• Байт состояния операции предоставляет программный метод для
обнаружение
Окончание операции
Условия прохождения/отказы
Статус защиты от записи
• Сигналы DQS обеспечивают аппаратный метод
для синхронизации данных DQ в синхронном
интерфейс
• Поддерживаются операции по копированию в самолете
из которого читаются данные
• Качество и надежность
Хранение данных: 10 лет
Продолжительность: 5000 циклов программы/удаления
• Рабочая температура:
Коммерческая: от 0 до +70°С
Промышленный (IT): от 40 до + 85 °C
• Пакет
– 52-pad LGA
48-контактная ПТП
100 шаров BGA

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR)
Пакетный чехол -
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.7 В ~ 3.6 В
Пакет изделий поставщика -
Способность памяти 512G (64G x 8)
Тип памяти Flash - NAND
Скорость -
Формат-память ФЛАСШ

Описания

Flash - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) параллельно 166MHz