AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Альянс памяти, Inc.

Фирменное наименование Alliance Memory, Inc.
Номер модели AS4C2M32SA-6TCN
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM Размер запоминающего устройства 64Mbit
Организация памяти 2M x 32 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 166 МГц Напишите время цикла - слово, страницу 2ns
Время выборки 5,5 ns Напряжение - питание 3V ~ 3,6V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 86-TFSOP (0,400", ширина 10.16mm) Пакет изделий поставщика 86-TSOP II
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Функциональное описание

AS4C256K16E0 представляет собой высокопроизводительную 4-мегабитную CMOS Dynamic Random Access Memory (DRAM), организованную в виде 262 144 слов на 16 бит.AS4C256K16E0 изготовлен с использованием передовой технологии CMOS и разработан с инновационными методами проектирования, в результате высокой скорости, чрезвычайно низкая мощность и широкие эксплуатационные маржи на уровне компонентов и систем.

Особенности

• Организация: 262 144 слова × 16 бит
• Высокая скорость
- время доступа к RAS 30/35/50 нс
- 16/18/25 ns время доступа к адресу столбца
- 7/10/10/10 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 500 мВт максимум (AS4C256K16E0-25)
- В режиме ожидания: 3,6 мВт максимум, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• режим страницы EDO
• освежайте
- 512 циклов обновления, интервал обновления 8 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS или самообновление
- Опция самообновления доступна только для устройств нового поколения.
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 400 миллилитров, 40-принтовый SOJ
- 400 миллилитров, 40/44-принтовый TSOP II
• 5В питание
• Замыкающий ток > 200 мА

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Альянс Память, Inc.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 86-TFSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 86-ТСОП II
Способность памяти 64M (2M x 32)
Тип памяти SDRAM
Скорость 166 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

Память SDRAM IC 64Mb (2M x 32) Параллельно 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM, 64M,3.3В 166МГц, 2М х 32