S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Технологии Infineon

Общее описание

Семейство флэш-памяти S29CD-G представляет собой семейство флэш-памяти с одновременным чтением/записью в режиме взрыва, с двойной загрузкой и с универсальной технологией процесса 170 нм.

Отличительные черты

Преимущества архитектуры
■ Одновременные операции чтения/записи
Читать данные из одного банка во время снятия/
Программные функции в другом банке
¢ нулевая задержка между операциями чтения и записи
¢ Архитектура двух банков: крупный банк/малый банк
75%/25%
■ Пользовательское определение шины данных x32
■ Двойной загрузочный блок
¢ верхний и нижний секторы багажника в одном устройстве
■ Гибкая архитектура сектора
CD032G: 8 2K двойного слова, 62 16K
Двойное слово, и восемь 2K двойных слов секторов
CD016G: 8 2K двойного слова, 32 16K
Двойное слово, и восемь 2K двойных слов секторов
■ Защищенный кремниевый сектор (256 байтов)
Замок на заводе и идентификация: 16 байтов для безопасности,
произвольный завод электронный серийный номер; также известный
как электронная маркировка
■ Производство на технологиях процесса 170 нм
■ Программируемый интерфейс Burst
- интерфейсы с любыми высокопроизводительными процессорами
Операция с линейным взрывом: 2, 4 и 8 двойной.
слово линейный взрыв с или без обертывания вокруг
■ Операция программы
Выполняет синхронную и асинхронную запись
операции настройки реестра конфигурации взрыва
независимо
■ Работа с одним источником питания
Оптимизировано для чтения, стирания и отключения от 2,5 до 2,75 вольт
Операции по программе
■ Совместимость с стандартами JEDEC (JC42.4)
ПО, совместимое с одним источником питания Flash
¢ Обратно совместима с AMD/Fujitsu Am29LV/
Флеш-памяти MBM29LV и Am29F/MBM29F

Характеристики производительности

■ Высокопроизводительный доступ к чтению
Время первоначального/случайного доступа 48 нс (32 Мбит) и 54
ns (16 Мб)
Время быстрого доступа 7,5 нс (32 Мб) или 9 нс (16 Мб)
■ Сверхнизкое энергопотребление
Прочитано: 90 mA @ 75 MHz максимум
Программа/Удаление: 50 мА максимум
Мод ожидания: CMOS: 60 μA максимум
■ 1 миллион циклов записи в каждом секторе
■ Длительность хранения данных 20 лет
■ Многофункциональное управление
️ генерирует выходное напряжение данных и переносит данные
входное напряжение, определяемое напряжением на
VIO-приставка
Совместимые сигналы В/В от 1,65 до 3,60 В

Особенности программного обеспечения

■ Продолжающаяся секторная защита
¢ Сочетания отдельных секторов и секторов
группы для предотвращения программных или стиральных операций
в данном секторе (требуется только уровень ВЦК)
■ Секторная защита паролями
¢ Сочетания отдельных секторов и секторов
группы для предотвращения программных или стиральных операций
в этом секторе с использованием пользователем-определяемого 64-битного
пароль
■ Поддерживает общий интерфейс Flash (CFI)
■ Разблокировать команду программы обхода
Сокращает общее время программирования
несколько последовательностей команд программы
■ Данные# Опрос и переключение битов
Предоставляет программный метод обнаружения программы или
завершение операции стирания

Характеристики оборудования

■ Приостановить программу / Возобновить и стереть
Продолжить
¢ Приостанавливает программу или стирает операции, чтобы позволить
читать, программировать или стирать в одном банке
■ Перезагрузка оборудования (RESET#), готовность/занятость# (RY/
BY#), и запись защиты (WP#)
■ Ввод ACC
Ускоряет время программирования для повышения производительности
во время производства системы
■ Варианты пакета услуг

- 80 шаров. Укрепленный BGA.
Также доступен вариант пакета без Pb.
¢ Известный хороший умрет