Все продукты
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512 МБИТ PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Фирменное наименование | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Номер модели | МТ416М16М32ЛФКМ-6 ТР |
| Количество мин заказа | 1 |
| Цена | Based on current price |
| Упаковывая детали | антистатический пакет и картонная коробка |
| Время доставки | 3-5 рабочих дней |
| Условия оплаты | T/T |
| Поставка способности | В наличии |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
|---|---|---|---|
| Технологии | SDRAM - Мобильное LPDDR | Размер запоминающего устройства | 512Mbit |
| Организация памяти | 16M x 32 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 166 МГц | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
| Время выборки | 5 ns | Напряжение - питание | 1.7V | 1.95V |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 90-VFBGA | Пакет изделий поставщика | 90-VFBGA (10x13) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
Мобильная маломощная DDR SDRAM
Особенности
• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95 Вт• Двунаправленный данный строб на байт данных (DQS)
• Внутренняя архитектура двойной скорости передачи данных (DDR); два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• 4 внутренних банка для одновременной работы
• Маски данных (DM) для маскировки записываемых данных; одна маска на байт
• Программируемые длины взрывов (BL): 2, 4, 8 или 16
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и режим самообновления
• Входы, совместимые с LVCMOS 1,8 В
• Самообновление с компенсацией температуры (TCSR)
• Частичное самообновление массива (PASR)
• Глубокое отключение питания (DPD)
• Регистр чтения состояния (SRR)
• Выбираемая мощность привода (DS)
• Возможность остановки часов
• 64 мс обновления, 32 мс для автомобильной температуры
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | |
| Пакетный чехол | 90-VFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,7 В ~ 1,95 В |
| Пакет изделий поставщика | 90-VFBGA (10x13) |
| Способность памяти | 512M (16M x 32) |
| Тип памяти | Мобильная LPDDR SDRAM |
| Скорость | 166 МГц |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - Мобильная LPDDR память IC 512Mb (16M x 32) Параллельно 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
Порекомендованные продукты
