DS1270Y-70# IC NVSRAM, 16 Мбит, ПАРАЛЛЕЛЬНО, 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Фирменное наименование Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Номер модели DS1270Y-70#
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти NVSRAM
Технологии NVSRAM (слаболетучее SRAM) Размер запоминающего устройства 16Mbit
Организация памяти 2M x 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота - Напишите время цикла - слово, страницу 70ns
Время выборки 70 ns Напряжение - питание 4.5V ~ 5.5V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Через дыру
Пакет / чемодан 36-DIP модуль (0,610", 15,49 мм) Пакет изделий поставщика 36-ЕДИП
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Описание

Неволатильная память DS1270 16M - 16,777, 216-битные, полностью статические нелеткие SRAM, организованные в 2,097Каждая NV SRAM имеет самостоятельный литийный источник энергии и схему управления, которая постоянно отслеживает VCC на нарушение допустимого уровня.Литийный источник энергии автоматически включается и защита от записи безусловно включена для предотвращения повреждения данных.Нет ограничения на количество циклов записи, которые могут быть выполнены, и для микропроцессорного интерфейса не требуется дополнительной поддержки.

СТРАНИЦЫ

5 лет минимального хранения данных при отсутствии внешней энергии
Данные автоматически защищаются при отключении питания
Неограниченные циклы записи
Работа CMOS с низкой мощностью
Время доступа к чтению и записи до 70 нс
Источник энергии лития электрически отключен, чтобы сохранить свежесть до первого заряда
полный ±10% рабочий диапазон ВЦК (DS1270Y)
Необязательно ±5% рабочего диапазона ВЦК (DS1270AB)
Факультативный диапазон промышленной температуры от -40°C до +85°C, обозначенный IND

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Максим Интегрирован
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия DS1270Y
Опаковка Трубка
Стиль установки Через дыру
Диапазон температуры работы - от 40 до + 85 градусов
Пакетный чехол 36-DIP модуль (0,600", 15,24 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 4.5 V ~ 5.5 V
Пакет изделий поставщика 36-EDIP
Способность памяти 16M (2M x 8)
Тип памяти NVSRAM (нелетающая SRAM)
Скорость 70 нм
Время доступа 70 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 85 C
Диапазон температуры работы - 40 градусов.
Операционный ток 85 мА
Часть-#-Алиазы 90-1270Y#070 DS1270Y
ширина ширины ширины 8 бит
Максимальное напряжение питания 5.25 В
Напряжение питания-минус 40,75 В
Пакетный чехол EDIP-36

Описания

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 16Mb (2M x 8) Параллельная 70ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM