MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SO Micron Technology Inc.

Общее описание

MT28F004B3 (x8) и MT28F400B3 (x16/x8) являются нелетающими, электрически стертыми блоками (флэш), программируемыми устройствами памяти, содержащими 4,194Запись или удаление устройства выполняется либо с напряжением 3.3V, либо 5V VPP, в то время как все операции выполняются с 3.3V VCCВ связи с достижениями технологий процесса, 5В VPP является оптимальным для применения и производственного программирования.
MT28F004B3 и MT28F400B3 организованы в семь отдельно стираемых блоков.устройства оснащены защищенным аппаратным обеспечением загрузочным блоком. Написание или снятие блока загрузки требует либо применения сверхнапряжения к пин RP#, либо запуска WP# HIGH в дополнение к выполнению обычных последовательностей записи или снятия.Этот блок может использоваться для хранения кода, реализованного в восстановлении системы низкого уровня.Остальные блоки различаются по плотности и записываются и стираются без дополнительных мер безопасности.

СТРАНИЦЫ

• Семь блоков стирания:
16KB/8K-слово загрузочный блок (защищен)
Два блока параметров слов 8KB/4K
Четыре основных блока памяти
• Технология "Умный 3" (B3):
3.3V ±0.3V ВЦС
3.3V ±0.3V программирование приложений VPP
5V ± 10% VPP приложение/программирование производства1
• Совместима с устройством Smart 3 длиной 0,3 мкм
• Продвинутый 0,18 мкм CMOS плавучий процесс
• Время доступа к адресу: 80 нс
• 100 000 циклов
• Стандартные отраслевые указатели
• Входы и выходы полностью совместимы с TTL
• Автоматизированный алгоритм записи и удаления
• Двухцикличная последовательность WRITE/ERASE
• ЧИТАТЬ и ПОСЛИЧИТАТЬ по байту или по слову
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Только для чтения и записи на общем байте
(MT28F004B3, 512K x 8)
• варианты упаковки в соответствии с ТСОП и СОП