Все продукты
IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
Тип памяти | Испаряющий | Формат памяти | ДРАХМА |
---|---|---|---|
Технологии | SDRAM - DDR3 | Размер запоминающего устройства | 4Gbit |
Организация памяти | 512M x 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | 667 MHz | Напишите время цикла - слово, страницу | 15ns |
Время выборки | 20 нс | Напряжение - питание | 1.425V | 1.575V |
Операционная температура | 0°C | 95°C (TC) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 78-TFBGA | Пакет изделий поставщика | 78-TWBGA (9x10.5) |
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43TR85120A-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120A-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120A-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120A-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120A-093NBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120AL-107MBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120AL-125KBLA1-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-093NBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120A-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR85120AL-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-107MBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120A-125KBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS46TR85120AL-125KBLA1 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
IS43TR85120A-093NBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120A-093NBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS43TR85120AL-107MBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
IS46TR85120AL-107MBLA2 | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA |
Характер продукции
Подробная информация о продукции
СТРАНИЦЫ
● Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
● Высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 1066 МГц
● 8 внутренних банков для одновременной работы
● 8n-битная архитектура предварительного поиска
● Программируемая задержка CAS
● Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
● Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
● Программируемая длина взрыва: 4 и 8
● Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевая
● переключатель BL на лету
● Автоматическое обновление (ASR)
● Самообновляющаяся температура (SRT)
● Продолжительность обновления:
7.8 us (8192 цикла/64 ms) Tc= -40°C до 85°C
3.9 us (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
● Частичный массив самообновление
● Асинхронный кнопок RESET
● Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только для x8)
● ОКД (регулирование импеданса драйвера с помощью другого микросхемы)
● Динамическая ODT (окончательное устройство)
● Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Напишите выравнивание
● До 200 МГц в режиме выключения DLL
● Рабочая температура:
Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A1 (TC = -40°C до +95°C)
Автомобильные, A2 (TC = -40°C до +105°C)
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | ИССИ |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Серия | - |
Опаковка | Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR) |
Пакетный чехол | 78-TFBGA |
Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Интерфейс | Параллельно |
Напряжение | 1.425 В ~ 1,575 В |
Пакет изделий поставщика | 78-TWBGA (9x10.5) |
Способность памяти | 4G (512M x 8) |
Тип памяти | DDR3 SDRAM |
Скорость | 667 МГц |
Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - DDR3 Память IC 4Gb (512M x 8) Параллельно 667MHz 20ns 78-TWBGA (9x10.5)
Порекомендованные продукты