TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. (англ. Киоксиа Америка, Инк.)

Фирменное наименование Kioxia America, Inc.
Номер модели TH58NVG3S0HTAI0
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти ВСПЫШКА
Технологии ВСПЫШКА - NAND (SLC) Размер запоминающего устройства 8 Гбит
Организация памяти 1G х 8 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота - Напишите время цикла - слово, страницу 25ns
Время выборки 25 ns Напряжение - питание 2.7V ~ 3.6V
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 48-TFSOP (0,724", ширина 18.40mm) Пакет изделий поставщика 48-TSOP I
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0FTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG3S0FTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0FTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG5S0FTA20 IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTAK0 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT 48TSOP I
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

[Тошиба]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Описание

TH58NVG1S3A представляет собой одно 3,3-В 2G-бит (2,214,592,512 бит) NAND Электрически стираемая и программируемая память для чтения (NAND E2PROM), организованная как (2048+64) байты x 64 страницы x 2048 блоков.Устройство имеет 2112-байтовые статические регистры, которые позволяют передавать данные программы и чтения между регистром и массивом ячеек памяти в 2112-байтовых шагахОперация Erase реализуется в одной блочной единице (128 Кбайт + 4 Кбайт: 2112 байтов х 64 страницы).
TH58NVG1S3A - это устройство памяти серийного типа, которое использует I/O-прицепы как для ввода / вывода адресов и данных, так и для ввода команд.Операции стирания и программы выполняются автоматически, что делает устройство наиболее подходящим для приложений, таких как хранилище файлов твердого состояния, запись голоса, память файлов изображений для стационарных камер и других систем, которые требуют высокой плотности хранилища данных в нелетающей памяти.

СТРАНИЦЫ

• Организация
Устройства памяти 2112 u 64K u 8 u 2
Регистр 2112 u 8
Размер страницы 2112 байтов
Размер блока (128K 4K) байты
• Моды
Программа чтения, перезагрузки, автоматической страницы
Автоматическое стирание блокировки, чтение статуса
• Управление режимом
Серийный вход/выход
Контроль управления
• Силовое питание VCC 2,7 V до 3,6 V
• Циклы программы/удаления 1E5 Циклы ((с ECC)
• Время доступа
Массив ячеек для регистрации максимум 25 мкс
Серийный цикл чтения 50 нс мин
• Рабочий ток
Читать (50 нс цикл) 10 мА типовой.
Программа (в среднем) 10 мА тип.
Удаление (в среднем) 10 мА тип.
В режиме ожидания 50 μA максимум
• Пакет
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Вес: 0,53 г обычно.)

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель TOSHIBA
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 48-TFSOP (0,724", 18,40 мм в ширину)
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельное/серийное
Напряжение 2.7 В ~ 3.6 В
Пакет изделий поставщика 48-TSOP I
Способность памяти 8G (1G x 8)
Тип памяти EEPROM - NAND
Скорость 25 нс
Формат-память EEPROM - серийная шина данных ввода/вывода

Описания

NAND Flash Параллельный 3.3V 8G-бит 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8 Гбит CMOS и NAND EEPROM