S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Фирменное наименование Cypress Semiconductor Corp
Номер модели S29WS064RABBHW010
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти ВСПЫШКА
Технологии ВСПЫШКА - НИ Размер запоминающего устройства 64Mbit
Организация памяти 4M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 108 MHz Напишите время цикла - слово, страницу 60ns
Время выборки 80 ns Напряжение - питание 1.7V | 1.95V
Операционная температура -25°C ~ 85°C (ТА) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 84-VFBGA Пакет изделий поставщика 84-FBGA (11.6x8)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0SBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0PBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0PBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0SBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0LBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS128P0PBFW003 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW002 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBAW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128PABBFW000 IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBAW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512PABBFW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS256R0SBHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW200E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200E IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Общее описание

Spansion S29WS256/128/064N - это продукты MirrorbitTM Flash, изготовленные по технологии процесса 110 нм.Эти устройства Flash в режиме взрыва способны выполнять одновременные операции чтения и записи с нулевой задержкой на двух отдельных банках с использованием отдельных данных и адресных пин.Эти продукты могут работать до 80 МГц и использовать один VCC от 1,7 В до 1,95 В, что делает их идеальными для современных требовательных беспроводных приложений, требующих более высокой плотности.лучшие характеристики и снижение потребления энергии.

Отличительные черты

■ однократное чтение/программирование/удаление 1,8 В (1.70-1.95 В)
■ Технология 110 нм MirrorBitTM
■ Одновременная работа чтения/записи с нулем
латентность
■ 32-словесный буфер записи
■ 16 банковная архитектура, состоящая из 16/8/4
Условия для WS256N/128N/064N соответственно
■ Четыре сектора 16 Kword как в верхней, так и в нижней
массив памяти
■ 254/126/62 64 Kword сектора (WS256N/128N/)
064N)
■ Программируемые режимы чтения
Линейный для 32, 16 или 8 слов линейный с или
без обертывания
Продолжающийся последовательный режим чтения
■ SecSiTM (Secured Silicon) Секторальный регион, состоящий из
из 128 слов каждое для фабрики и клиента
■ 20-летнее хранение данных (типично)
■ Выносливость на велосипеде: 100 000 циклов в секторе
(типичный)
■ выход RDY указывает данные, доступные системе
■ Комплект команд, совместимый с JEDEC (42.4)
стандартный
■ защиту верхней и нижней части оборудованием (WP#)
отрасли
■ Конфигурация двойного сектора загрузки (верхний и нижний)
■ Предлагаемые пакеты
WS064N: 80-кулевая FBGA (7 мм х 9 мм)
WS256N/128N: 84-кулевая FBGA (8 мм x 11,6 мм)
■ Низкий ингибитор записи VCC
■ Устойчивые и парольные методы
Защита сектора
■ Биты записи состояния работы указывают на программу и
завершение операции стирания
■ Приостановка и возобновление команд для программы и
Операции стирания
■ Отключите программу Bypass
время программирования
■ Синхронная или асинхронная программа,
независимо от настроек реестра контроля взрывов
■ Ключ ввода ACC для сокращения времени программирования на заводе
■ Поддержка Common Flash Interface (CFI)
■ Промышленный температурный диапазон (контактный завод)

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Кипарис полупроводник
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия WS-R
Опаковка Поднос
Стиль установки SMD/SMT
Диапазон температуры работы - 25 ° C до + 85 ° C
Пакетный чехол *
Операционная температура -25 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика *
Способность памяти 64M (4M x 16)
Тип памяти ФЛАСШ - НО
Скорость 108 МГц
Архитектура Сектор
Формат-память ФЛАСШ
Стандартный Общий интерфейс Flash (CFI)
Тип интерфейса Параллельно
Организация 4 М х 16
Максимальный ток подачи 44 мА
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 1.95 В
Напряжение питания-минус 1.7 В
Пакетный чехол FBGA-84
Максимальная часовая частота 108 МГц
Тип синхронизации Асинхронный Синхронный
Функционально совместимый компонентФорма, упаковка, функционально совместимый компонент
Производитель части# Описание Производитель Сравните
S29WS064R0SBHW000
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0SBHW000
S29WS064R0SBHW013
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0SBHW013
S29WS064RABBHW010
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064RABBHW010
S29WS064R0SBHW010
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0SBHW010
S29WS064R0PBHW010
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0PBHW010
S29WS064R0SBHW003
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0SBHW003
S29WS064RABBHW013
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064RABBHW013
S29WS064R0PBHW013
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0PBHW013
S29WS064RABBHW003
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064RABBHW003
S29WS064R0PBHW000
Память
Флэш, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, без свинца, FBGA-84 Кипарис полупроводник S29WS064RABBHW010 против S29WS064R0PBHW000

Описания

Flash - NOR Memory IC 64Mb (4M x 16) Параллельно 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash Parallel 1.8V 64M-bit 4M x 16 80ns 84-pin TFBGA Tray
Флэш-память