AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 90FBGA Alliance Memory, Inc.

Фирменное наименование Alliance Memory, Inc.
Номер модели AS4C16M32MD1-5BCN
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти ДРАХМА
Технологии SDRAM - Мобильное LPDDR Размер запоминающего устройства 512Mbit
Организация памяти 16M x 32 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 200 МГц Напишите время цикла - слово, страницу 15ns
Время выборки 5 ns Напряжение - питание 1.7V | 1.95V
Операционная температура -25°C | 85°C (TJ) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 90-VFBGA Пакет изделий поставщика 90-FBGA (8x13)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C4M32MSA-6BIN IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MD1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C8M32MSA-6BIN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1A-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BINTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C64M32MD1-5BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C32M32MD1-5BINTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-7BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Особенности

• Организация: 1,048,576 слов × 4 бита
• Высокая скорость
- 40/50/60/70 нс времени доступа к RAS
- 20/25/30/35 ns время доступа к адресу столбца
- 10/13/15/18 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 385 мВт максимум (-60)
- В режиме ожидания: 5,5 мВт максимум, CMOS I/O
• режим быстрой страницы (AS4C14400) или EDO (AS4C14405)
• 1024 цикла обновления, интервал обновления 16 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 300 миллилитров, 20/26-пиновый SOJ
- 300 миллилитров, 20/26-принтовая ПТП
• Единое 5В питание
• Защита от ESD ≥ 2001V
• Замыкающий ток ≥ 200 мА

Спецификации

АтрибутЗначение атрибута
ПроизводительАльянс Память, Inc.
Категория продукцииМемориальные микросхемы
Серия-
ОпаковкаЗамена упаковки на подносе
Пакетный чехол90-VFBGA
Операционная температура-25°C ~ 85°C (TJ)
ИнтерфейсПараллельно
Напряжение10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика90-FBGA (8x13)
Способность памяти512M (16M x 32)
Тип памятиМобильная DDR SDRAM
Скорость200 МГц
Формат-памятьОЗУ

Описания

SDRAM - Мобильная память LPDDR IC 512Mb (16M x 32) Параллельная 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Мобильный DDR