MR4A16BYS35 IC RAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Фирменное наименование Everspin Technologies Inc.
Номер модели MR4A16BYS35
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Слаболетучий Формат памяти ОЗУ
Технологии MRAM (магнеторезистивная оперативная память) Размер запоминающего устройства 16Mbit
Организация памяти 1M x 16 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота - Напишите время цикла - слово, страницу 35ns
Время выборки 35 ns Напряжение - питание 3V ~ 3,6V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 54-TSOP (0,400", ширина 10.16mm) Пакет изделий поставщика 54-TSOP2
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
NDS66PT5-16IT TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
NDS36PT5-16IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16ACYS35 IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
NDS36PT5-20ET TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
NDS76PT5-16IT TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
NDS76PT5-20IT TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
NDS36PT5-16ET TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MR4A16BCYS35R IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
NDS66PT5-16ET TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
MR4A16BCYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16ACYS35 IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16AYS35R IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16AYS35 IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16ACYS35R IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR4A16BYS35R IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16AUYS45R IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR3A16AUYS45 IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16AYS35R IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16AYS35 IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16ACYS35R IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16AUYS45R IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
MR5A16AUYS45 IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

MR3 Сборки отражательных ламп

MR4 Сборки отражательных ламп

MR6 Сборки отражательных ламп

Регулируемые комплекты рефлекторов фокуса

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Эверспин
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия MR4A16B
Опаковка Замена упаковки на подносе
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол 54-TSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 54-TSOP2
Способность памяти 16M (1M x 16)
Тип памяти MRAM (магнеторезистивная оперативная память)
Скорость 35 нс
Время доступа 35 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 70 C
Диапазон температуры работы 0 C
Операционный ток 110 мА
Тип интерфейса Параллельно
Организация 1 М х 16
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 3.6 В
Напряжение питания-минус 3 В
Пакетный чехол TSOP-54
Функционально совместимый компонентФорма, упаковка, функционально совместимый компонент
Производитель части# Описание Производитель Сравните
MR4A16BYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BYS35R
MR4A16BCYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BCYS35R
MR4A16BMYS35R
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BMYS35R
MR4A16BMYS35
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS, MS-024, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BMYS35
MR4A16BCYS35
Память
Схема памяти, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 Everspin Technologies MR4A16BYS35 против MR4A16BCYS35

Описания

MRAM (магнеторезистивная оперативная память) Память IC 16Mb (1M x 16) Параллельная 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit Параллельный 3,3-В 54-Pin TSOP Tray
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Параллельная MRAM