IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

Фирменное наименование Renesas Electronics America Inc
Номер модели IDT70T3319S133DD
Количество мин заказа 1
Цена Based on current price
Упаковывая детали антистатический пакет и картонная коробка
Время доставки 3-5 рабочих дней
Условия оплаты T/T
Поставка способности В наличии

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип памяти Испаряющий Формат памяти SRAM
Технологии SRAM - двойной порт, синхронный Размер запоминающего устройства 4.5 Мбит
Организация памяти 256K x 18 Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 133 MHz Напишите время цикла - слово, страницу -
Время выборки 4,2 ns Напряжение - питание 2.4V | 2.6V
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA) Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 144-LQFP подвергло пусковая площадка действию Пакет изделий поставщика 144-TQFP (20x20)
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
Part Number Description
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DDI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S166DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S10DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S15DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S10DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S15DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
Оставьте сообщение
Part Number Description
Характер продукции

Подробная информация о продукции

Описание

IDT70T651/9 представляет собой высокоскоростную 256/128K x 36 асинхронную двойную портную статическую оперативную память.IDT70T651/9 предназначен для использования как самостоятельная 9216/4608K-битная двойная портовая оперативная память или как комбинация MAS TER/SLAVE двойной портовой оперативной памяти для 72-битных или более словных системИспользование подхода IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM в 72-битных или более широких системах памяти приводит к полной скорости, без ошибок без необходимости дополнительной дискретной логики.
Это устройство обеспечивает два независимых порта с отдельными пинами управления, адресации и ввода / вывода, которые позволяют независимый, асинхронный доступ для чтения или записи в любое место в памяти.Функция автоматического отключения питания, управляемая чипом, позволяет (или CE0 или CE1) позволить схемам на чипе каждого порта входить в режим очень низкой мощности ожидания.
IDT70T651/9 имеет режим RapidWrite, который позволяет конструктору выполнять операции записи обратно без импульсации ввода R / W каждый цикл.Это особенно важно при 8 и 10ns времени цикла IDT70T651/9, облегчая конструкционные соображения на этих высоких уровнях производительности.
70T651/9 может поддерживать рабочее напряжение либо 3,3 В, либо 2,5 В на одном или обоих портах, управляемом пинами OPT. Источник питания для ядра устройства (VDD) составляет 2,5 В.

Особенности

◆ Истинные двойные ячейки памяти, позволяющие одновременный доступ к одному и тому же месту памяти
◆ Высокоскоростной доступ
Коммерческий: 8/10/12/15 нс (максимум.)
Промышленный: 10/12 нс (макс.)
◆ Режим RapidWrite упрощает высокоскоростные последовательные циклы записи
◆ Двойной чип позволяет расширяться без внешней логики
◆ IDT70T651/9 легко расширяет ширину шины трассы данных до 72 бит или более с помощью выбора Master/Slave при каскадном использовании более одного устройства
◆ M/S = VIH для знака вывода BUSY на Master, M/S = VIL для ввода BUSY на Slave
◆ Загруженные и прерываемые флаги
◆ Логика арбитража портов на чипе
◆ Полная поддержка аппаратного обеспечения на чипе для сигнализации семафоров между портами
◆ Полностью асинхронная работа с обеих сторон
◆ Отдельные байтные элементы управления для совместимости мультиплексной шины и шины
◆ Входы режима сна на обоих портах
◆ Поддерживает функции JTAG, соответствующие стандарту IEEE 1149.1
◆ Одно питание 2,5 В (± 100 мВ) для ядра
◆ LVTTL-совместимое, выбираемое 3,3V (± 150mV) /2,5V (± 100mV) питание для I/O и управляющих сигналов на каждом порту
◆ Продается в 256 шаровых формах, в 208-колесных пластиковых и 208-колесных формах.
◆ Промышленный диапазон температуры (от 40°C до +85°C) доступен для выбранных скоростей

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Интегрированные схемы
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 144-LQFP подложка под воздействием
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.4 В ~ 2,6 В
Пакет изделий поставщика 144-TQFP (20x20)
Способность памяти 4.5M (256K x 18)
Тип памяти SRAM - двойной порт, синхронный
Скорость 133 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

SRAM - двойной порт, синхронная память IC 4.5Mb (256K x 18) Параллельно 133MHz 4.2ns 144-TQFP (20x20)