TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63TFBGA Kioxia America, Inc.
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
x| Тип памяти | Слаболетучий | Формат памяти | ВСПЫШКА |
|---|---|---|---|
| Технологии | ВСПЫШКА - NAND (SLC) | Размер запоминающего устройства | 1Gbit |
| Организация памяти | 128M x 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | - | Напишите время цикла - слово, страницу | 25ns |
| Время выборки | 25 ns | Напряжение - питание | 2.7V ~ 3.6V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 63-VFBGA | Пакет изделий поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Подробная информация о продукции
85 oC, высокая волна, конденсатор общего назначения
Тип TC представляет собой аксиальный свинцовый, 85 oC, 1000 часов длительного жизненного цикла алюминиевый электролитический конденсатор общего назначения с высокой номинальной колебательной мощностью и подходит для применения в потребительском электронном оборудовании..
Основные моменты
• Общее назначение• Высокий волновой ток
• Массовая установка
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor и хранилища |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | БенэндTM |
| Опаковка | Поднос |
| Пакетный чехол | 63-VFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 2.7 В ~ 3.6 В |
| Пакет изделий поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
| Способность памяти | 1G (128M x 8) |
| Тип памяти | EEPROM - NAND |
| Скорость | 25 нс |
| Формат-память | EEPROM - серийные |

