TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63TFBGA Kioxia America, Inc.

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xТип памяти | Слаболетучий | Формат памяти | ВСПЫШКА |
---|---|---|---|
Технологии | ВСПЫШКА - NAND (SLC) | Размер запоминающего устройства | 1Gbit |
Организация памяти | 128M x 8 | Интерфейс памяти | Параллельно |
Тактовая частота | - | Напишите время цикла - слово, страницу | 25ns |
Время выборки | 25 ns | Напряжение - питание | 2.7V ~ 3.6V |
Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) | Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет / чемодан | 63-VFBGA | Пакет изделий поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
Part Number | Description | |
---|---|---|
TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Подробная информация о продукции
85 oC, высокая волна, конденсатор общего назначения
Тип TC представляет собой аксиальный свинцовый, 85 oC, 1000 часов длительного жизненного цикла алюминиевый электролитический конденсатор общего назначения с высокой номинальной колебательной мощностью и подходит для применения в потребительском электронном оборудовании..
Основные моменты
• Общее назначение• Высокий волновой ток
• Массовая установка
Спецификации
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производитель | Toshiba Semiconductor и хранилища |
Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
Серия | БенэндTM |
Опаковка | Поднос |
Пакетный чехол | 63-VFBGA |
Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Интерфейс | Параллельно |
Напряжение | 2.7 В ~ 3.6 В |
Пакет изделий поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
Способность памяти | 1G (128M x 8) |
Тип памяти | EEPROM - NAND |
Скорость | 25 нс |
Формат-память | EEPROM - серийные |