Все продукты
ключевые слова [ surface mount clock timing ic ] соответствие 276 продукты.
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Одновременный, SDR |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
MT29F128G08CBCABH6-6: A TR IC FLASH 128 ГБИТ PAR 152VBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MT29F128G08AMCABH2-10: A IC FLASH 128 ГБИТ PAR 100TBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
M68AW031AM70N6T IC SRAM 256 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 28TSOP STMicroelectronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
MT29F512G08CKCABH7-6: A TR IC FLASH 512 ГБИТ PAR 152TBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (MLC) |
MT29F128G08AKAAAC5: A IC FLASH 128 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 52VLGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D ФЛЕШ-ИС ИС, 256 Гбит, номинал 132 ТБГА, Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (MLC) |
AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
Микросхема SPC5644CF0VLU8, 32 бит, 1,5 МБ, флэш-память 176LQFP, N✖P USA Inc.
| Процессор ядра: | e200z4d, e200z0h |
|---|---|
| Размер ядра: | трицатидвухразрядное Двойн-ядр |
| Скорость: | 80MHz/120MHz |