Все продукты
ключевые слова [ surface mount interface integrated circuits ] соответствие 136 продукты.
Управление ICs PWR DRVR N-CHAN PWRSSO24 STMicroelectronics силы VNI4140KTR
| Тип переключателя: | Общее назначение |
|---|---|
| Количество выходов: | 4 |
| Коэффициент - входной сигнал: Выход: | 1:1 |
MSP430G2452IPW20R IC MCU 16BIT 8KB FLASH 20TSSOP Техасские инструменты
| Процессор ядра: | MSP430 CPU16 |
|---|---|
| Размер ядра: | шестнадцатиразрядный |
| Скорость: | 16MHz |
MC705C8ACPBE IC MCU 8BIT 8KB OTP 44LQFP Полупроводник свободной шкалы
| Процессор ядра: | HC05 |
|---|---|
| Размер ядра: | 8-разрядный |
| Скорость: | 2.1MHz |
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
Промышленный REG CONV I.MX6 12OUT 56HVQFN IC MMPF0100F0AEP управления силы PMIC
| Применения: | Конвертер, i.MX6 |
|---|---|
| Напряжение тока - входной сигнал: | 2.8V | 4.5V |
| Количество выходов: | 12 |
Микроконтроллер MSP430F4152IPMR, 16 бит, 16 КБ, флэш-память 64LQFP, Texas Instruments
| Процессор ядра: | MSP430 CPU16 |
|---|---|
| Размер ядра: | шестнадцатиразрядный |
| Скорость: | 8MHz |
IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Технологии: | NVSRAM (слаболетучее SRAM) |
MC908QY4ACDTE IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP Полупроводник свободной шкалы
| Процессор ядра: | HC08 |
|---|---|
| Размер ядра: | 8-разрядный |
| Скорость: | 8MHz |
7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Компания Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, асинхронный |