Все продукты
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR4 |
S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
M27C2001-15F1 IC EPROM 2 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 32CDIP STMicroelectronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EPROM |
| Технологии: | EPROM - УФ |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, асинхронный |
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | DRAM - EDO |
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3L |
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. (англ. Киоксиа Америка, Инк.)
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (SLC) |
CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, синхронный |