Все продукты
MT25QL512ABB8E12-0SIT ФЛЕШ-ИС IC 512 МБИТ SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 48TFBGA Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - мобильная LPDDR2 |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32 ГБИТ, 2,133 ГГц, 200VFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - Мобильное LPDDR4 |
CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Винбондская электроника
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (SLC) |