Все продукты
M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2 КБИТ I2C 8UFDFPN STMicroelectronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Одновременный, SDR |
W949D2DBJX5I IC DRAM 512 МБИТ PAR 90VFBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - Мобильное LPDDR |
NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC ФЛЕШ-ОЗУ 4 ГБИТ PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Нелетающий, летучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА, RAM |
| Технологии: | Flash - NAND, мобильная LPDRAM |
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM-DDR |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576 Мбит PAR 168BGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | ДРАХМА |
MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2 Мбит SPI 86 МГц 8SOP Macronix
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MT29F128G08CBCABH6-6: A TR IC FLASH 128 ГБИТ PAR 152VBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
W631GG6KB-12 IC DRAM 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96WBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3 |