Все продукты
CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Одновременный, SDR |
MX25L6406EMI-12G IC FLASH, 64 Мбит, SPI, 86 МГц, 16 SOP Macronix
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM |
IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Полупроводники Рома
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2 Мбит SPI 104 МГц 8USON Winbond Electronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 78FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR4 |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |