Все продукты
S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 Мбит PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR2 |
W631GG8KB-11 IC DRAM 1 ГБИТ PAR 78WBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3 |
W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Уинбонд Электроника
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Компания Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, асинхронный |
AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EPROM |
| Технологии: | EPROM - OTP |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, асинхронный |
FM25L16B-GTR IC FRAM 16 КБИТ SPI 20 МГц 8SOIC Infineon Technologies
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | FRAM |
| Технологии: | FRAM (Ferroelectric RAM) |