Все продукты
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256 Мбит PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2 Мбит SPI 104 МГц 8SOIC Renesas Design Germany GmbH
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16 Мбит SPI/QUAD 8SOIC Winbond Electronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 66TSOP Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM-DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Исключение:
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2 КБИТ I2C 400 кГц 8SOIC STMicroelectronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, синхронный |
SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |