Все продукты
S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM-DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4 Мбит SPI 85 МГц 8UDFN Renesas Design Germany GmbH
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
PC28F640P30B85A ФЛЕШ-ИС, 64 МБИТ, PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - синхронный, DDR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Технологии: | NVSRAM (слаболетучее SRAM) |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EPROM |
| Технологии: | EPROM - OTP |
BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ полупроводники Рома
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |