Все продукты
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4 МБИТ SPI 85 МГц 8SOIC Renesas Design Germany GmbH
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | FRAM |
| Технологии: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128 ГБИТ PAR 100LBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1 ГБИТ PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1 Мбит PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Технологии: | NVSRAM (слаболетучее SRAM) |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16 Гбит 1,6 ГГц 200WFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - Мобильное LPDDR4 |
AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2 Мбит SPI 104 МГц 8TSSOP Renesas Design Germany GmbH
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |