Китай IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Одновременный, SDR
Китай CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Технологии Infineon

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Одновременный, QDR II+
Китай IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Технологии Infineon

FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: FRAM
Технологии: FRAM (Ferroelectric RAM)
Китай S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Технологии Infineon

S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Технологии Infineon

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3L
Китай 7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай 71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
30 31 32 33 34 35 36 37